Efficiency optimization of DC/DC boost converter applied to the photovoltaic system

Modelo Analítico de Cálculo de Perdas em MOSFETs de Potência para Aplicação em Banco de Dados

“…O modelo analítico para obter a potência dissipada durante o período de condução dos transistores do tipo MOSFET foi amplamente difundido em artigos acadêmicos [8], [9], [11], notas de aplicação [10], [12] e livros [13], [14], em todos os casos está relacionada ao produto do quadrado da corrente eficaz com a resistência drain−to−source on−state (R DSon ).…”

“…onde V DS é a tensão de bloqueio, I on e I o f f as correntes de comutação na entrada e saída de condução respectivamente e t on e t o f f os tempos de overlap. Em alguns casos ( [9], [11], [12]) são acrescidas a (4) perdas capacitivas referentes a capacitância de saída do transistor (C OSS ). De acordo com [19] as contribuições de perda de energia da descarga e carga de C OSS ao acionar e bloquear se cancelam quase completamente.…”

“…O modelo de [11] utiliza os tempos dos transitórios de corrente t rise e t f all das tabelas do datasheet. Similar a Q GD para os modelos [8]- [10], t rise e t f all são fornecidos para um único ponto de operação, resultando na não acurácia do modelo de perdas.…”

“…Similar a Q GD para os modelos [8]- [10], t rise e t f all são fornecidos para um único ponto de operação, resultando na não acurácia do modelo de perdas. A diferença é que, nestas condições, [11] subestima as perdas por comutação. A não acurácia dos modelos de [8]- [11] mostram que os tempos de overlap devem ser estimados utilizando os diagramas de características elétricas do datasheet, possibilitando o ajuste dos parâmetros para o ponto de operação desejado.…”

“…A diferença é que, nestas condições, [11] subestima as perdas por comutação. A não acurácia dos modelos de [8]- [11] mostram que os tempos de overlap devem ser estimados utilizando os diagramas de características elétricas do datasheet, possibilitando o ajuste dos parâmetros para o ponto de operação desejado.…”