Efficient high-power femtosecond Yb3+:KY(WO4)2laser

Kovalyov, A. A.; Преображенский, В. В.; Putyato, М. А.; Рубцова, Н. Н.; Semyagin, B. R.; Kisel, V. É.; Руденков, А.С.; Кулешов, Н. В.; Pavlyuk, A. A.

doi:10.1088/1612-2011/12/7/075801

Cited by 20 publications

(11 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Двухфотонное поглощение необходимо учитывать при исследовании элементов зеркал с насыщающимся поглощением [1][2][3][4][5] -для гетероструктур, включающих слои квантовых ям, выращенных поверх подложки арсенида галлия. В данной работе исследована кинетика пропускания подложки GaAs ориентации (001) толщиной 400 микрон в области прозрачности.…”

Section: Doi 1034077/semicond2019-156unclassified

Двухфотонное Поглощение В Экспериментах Типа «накачказондированиие» / Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н

2019

Тезисы Докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «полупроводники-2019»

View full text Add to dashboard Cite

Двухфотонное поглощение необходимо учитывать при исследовании элементов зеркал с насыщающимся поглощением [1-5] – для гетероструктур, включающих слои квантовых ям, выращенных поверх подложки арсенида галлия. В данной работе исследована кинетика пропускания подложки GaAs ориентации (001) толщиной 400 микрон в области прозрачности. Экспериментальные данные по регистрации пробного излучения, проходящего через образец под углом Брюстера, получены при использовании излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2. Использованы пиковые интенсивности излучения накачки от 0,2 до 2,8 ГВт/см2 , лазер работал на центральной длине волны излучения 1035 нм, длительность импульсов 130 фс. Интенсивность пробного излучения не превышала 560 Вт/см2 . Сигнал изменения в пропускании образца регистрировался на частоте, равной суммарной частоте прерывания пучков насыщающего и пробного излучений [6]. Продемонстрировано кинетические кривые изменения пропускания пробного излучения при разных интенсивностях накачки. Небольшие сдвиги максимумов кривых объясняются смещением пучков при установке нейтральных фильтров. При построении модели нелинейного пропускания пробного излучения через образец учитывались процессы вырожденного двухфотонного и трёхфотонного поглощения, а также нелинейной рефракции в образце. Все эти процессы безынерционны. Из численных решений для параметров, близких к экспериментальным условиям, видно, что присутствие излучения накачки приводит к ослаблению пробного излучения, существенно большему, чем без накачки. Для указанных диапазонов интенсивности накачки процесс трёхфотонного поглощения хотя и заметен, но составляет (в зависимости от толщины образца и интенсивностей пучков накачки и пробного излучений) не более 20% от общего сигнала. В расчётах использованы уравнения и величина коэффициента двухфотонного поглощения β=23 см/ГВт из [7], а также значение коэффициента трёхфотонного поглощения γ=0,9 см3 /ГВт2 , экстраполированное к области 1035 нм из [8].

show abstract

Section: Doi 1034077/semicond2019-156unclassified

Двухфотонное Поглощение В Экспериментах Типа «накачказондированиие» / Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н

2019

Тезисы Докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «полупроводники-2019»

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Полупроводниковые соединения группы A 3 B 5 служат объектом фундаментальных и прикладных исследований на протяжении многих лет. Наш опыт в разработке насыщающихся поглотителей, изготовленных на основе наноразмерных структур, включающих квантовые ямы In x Ga 1-x As и предназначенных для синхронизации мод лазеров, свидетельствует о богатых возможностях этой группы в конструировании материалов с заданными оптическими характеристиками [1][2][3].…”

Section: Introductionunclassified

Second Harmonic Generation in Al0.1Ga0.9N Thin Film

Borisov¹,

Goldort²,

Журавлев³

et al. 2018

SJPhys

View full text Add to dashboard Cite

Вторая гармоника излучения фемтосекундного лазера Yb 3+ :KY(WO 4) 2 в пропускании тонкой пленки Al 0,1 Ga 0,9 N, выращенной на монокристалле сапфира ориентации (0001), не обнаруживает насыщения для интенсивностей инфракрасной накачки до 200 МВт/см 2. Излучение второй гармоники p-поляризации зарегистрировано как для накачки p-поляризации, так и для накачки s-поляризации; во втором случае сигнал второй гармоники существенно ниже. Для обоих случаев поляризации накачки сигнал второй гармоники отсутствует при нормальном падении излучения и достигает максимального значения для угла падения около 50° с последующим уменьшением. Обнаружены признаки латеральной неоднородности образца на уровне 5 %, обсуждается отсутствие азимутальной зависимости, соответствующей оси симметрии шестого порядка. Ключевые слова: генерация второй гармоники, наноразмерные полупроводниковые материалы A 3 B 5 .

show abstract

“…К таким зеркалам предъявляются требования высокого оптического качества и механической прочности. Для полупроводниковых отражателей пара GaAs/AlAs -хороший выбор, однако разность коэффициентов поглощения невелика, поэтому необходимо использовать более 20 пар слоёв λ/4 [2][3][4]. В данной работе отражатель изготовлен из нескольких пар диэлектрических слоёв окислов циркония и кремния (это решение экономичнее, чем изготовление отражателя из сверхчистых веществ).…”

unclassified

Кинетика Отражения Слоя Квантовых Ям С Диэлектрическим Зеркалом В Ближней ИК Области / Ледовских Д.В., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Рубцова Н.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р

2019

Тезисы Докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «полупроводники-2019»

View full text Add to dashboard Cite

Фемтосекундные импульсы лазерного излучения используются во многих областях науки и техники. Получившим мировое признание подходом к генерации фемтосекундных импульслв является метод синхронизации продольных мод лазера с применением полупроводниковых зеркал с насыщающимся поглотителем на основе квантоворазмерных структур [1]. К таким зеркалам предъявляются требования высокого оптического качества и механической прочности. Для полупроводниковых отражателей пара GaAs/AlAs – хороший выбор, однако разность коэффициентов поглощения невелика, поэтому необходимо использовать более 20 пар слоёв λ/4 [2-4]. В данной работе отражатель изготовлен из нескольких пар диэлектрических слоёв окислов циркония и кремния (это решение экономичнее, чем изготовление отражателя из сверхчистых веществ). Спектр отражения имеет ширину около 250 нм. Стрелкой указана центральная длина волны лазерного излучения. Уровень насыщаемого поглощения здесь около 40%. Стойкость по отношению к высоким интенсивностям рабочего излучения – важный параметр зеркал с насыщающимся поглощением. Исследование кинетики отражения методом «накачка-зондирование» [5] диэлектрических зеркал с насыщающимся поглотителем из набора квантовых ям показало устойчивость вплоть до интенсивностей 2,7 ГВт/см2 рабочего излучения. Скорость восстановления линейного отражения зеркала (быстродействие) ограничивает допустимую частоту следования фемтосекундных импульсов, и поэтому также является важным параметром. В данной работе получено время восстановления линейного отражения на уровне 2 пс. Кинетика отражения при высоких интенсивностях складывается из экситонной составляющей со временем ионизации экситонов 0,4 пс, фотогенерированных электронов с характерным временем установления квазиравновесия 0,8 пс и электроннодырочной рекомбинации со временем 2,1 пс. Такое быстродействие позволяет надеяться на получение фемтосекундных импульсов в ближней ИК области с частотой следования 500 МГц.

show abstract

Efficient high-power femtosecond Yb³⁺:KY(WO₄)₂laser

Cited by 20 publications

References 9 publications

Двухфотонное Поглощение В Экспериментах Типа «накачказондированиие» / Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н

Двухфотонное Поглощение В Экспериментах Типа «накачказондированиие» / Борисов Г.М., Ледовских Д.В., Рубцова Н.Н

Second Harmonic Generation in Al0.1Ga0.9N Thin Film

Contact Info

Product

Resources

About