Electrical Properties of Thin Polycrystalline Lead Films

Abstract

The resistivity of thin lead films is measured as a function of film thickness a t different temperatures. The films are deposited onto crystalline mica substrates with deposition rates of 1.05 nm/s. The substrates are maintained a t room temperature during deposition, while the resistivity is measured at different temperatures. The mean free path lo, bulk resistivity eo, thermal coefficient of resistance TCR, activation energy of conduction electrons AE, concentration of conduction electrons nit and their mobility y are estimated and correlated with the polycrystalline nature of lead films as well as their morphological characteristics.Es wird der Widerstand dunner Bleischichten in Abhiingigkeit von der Schichtdicke bei verschiedenen Temperaturen gemessen. Die Schichten werden auf kristalline Glimmersubstrate mit Abscheidungsraten von 1,05 nm/s aufgebracht. Die Substrate werden wiihrend der Abscheidung bei Zimmertemperatur gehalten, wahrend der Widerstand bei verschiedenen Temperaturen gemessen wird. Die mittlere freie Weglange lo, der Volumenwiderstand eo, der thermische Widerstandskoeffizient TCR, die Aktivierungsenergie der Leitungselektronen AE, die Konzentration der Leitungselektronen ni und ihre Beweglichkeit y werden bestimmt und sowohl mit der polykristallinen Natur der Bleischichten als auch mit ihren morphologischen Charakteristiken korreliert.