Electrodeposition of CdSexTe1 − x by periodic pulse technique

Investigation of compensation effect for isothermal crystallization in glassy Se80−xTe20Mx(M = Cd, Ge, Sb) alloys

“…According to Bordas et al [22,23] such a compensation effect may be attributed to the primary crystallization of the Sb 2 Se 3 phase. In glassy Se 80−x Te 20 M x (M = Cd, Ge, Sb) systems also, there are different well-known crystalline phases, which are not crystallized simultaneously [26][27][28][29][30][31]. This may probably be the reason for the observation of compensation effect in the present glasses of Se-Te-M (M = Cd, Ge, Sb) systems as suggested by Bordas et al .…”

A pulse plating method for the electrosynthesis of ZnSe

“…Variants used for the formation of chalcogenides have been shown to promote improved composition control and reduction of film inhomogeneities. Stoichiometric and continuous films of CdTe have been produced by a pulse potential method [15] similar to that described here, while pulsed current methods with and without reversal, or pulsed potential with large pulse to pause ratios, led to CdTe, CdSe and CdSe x Te 1-x layers with various microstructural features [16][17][18]. Reports on the pulse deposition of ZnSe are few: in evaluating various electroplating techniques, Natarajan et al [4] remark that potentiostatic plating offers the best control of film composition.…”

Ηλεκτρολυτικη Παρασκευη Ημιαγωγων Καδμιου-Σεληνιου-Τελλουριου

“…Η μέθοδος εφαρμόζεται για πρώτη φορά στην παρασκευή του CdTe από τους Verbrugge και Tobias (αναφορά 11 στην [118]) το 1987 με παλμικό έλεγχο του δυναμικού και του ρεύματος, με αποτέλεσμα την λήψη μιγμάτων (Cd, Te και CdTe) και όχι καθορισμένης ένωσης. Σύμφωνα με τους Babu et al [114,115] η εφαρμογή διαδοχικών παλμών και παύσεων σε σταθερό δυναμικό απόθεσης έχει ευνοϊκή επίδραση στην συνεκτικότητα της επιφάνειας και ως εκ τούτου στις φυσικές ιδιότητες των αποθεμάτων CdTe. Τα πειραματικά αποτελέσματα όμως των ερευνητών δεν επιβεβαιώνουν πλήρως αυτή την άποψη και δεν υπάρχουν δεδομένα για την ημιαγωγική συμπεριφορά των δειγμάτων.…”

“…και [71,72]. Οι Gmszecki και Holström [67] παρουσίασαν μιά μελέτη για την σταθεροποίηση λεπτών φιλμ CdSe -παρασκευασμένων με την μέθοδο των Hodes et al [79] To CdSe έχει παρασκευαστεί και με παλμική ηλεκτροαπόθεση από όξινα υδατικά διαλύματα, σε ηλεκτρόδια Ti [115]. Υποστηρίζεται, ότι η μέθοδος προσφέρεται για τον έλεγχο του πλήθους ενεργειακών σταθμών δοτών ηλεκτρονίων στο ημιαγωγικό φιλμ [90] (βλ.…”