Electroluminescence of Commercial Gap Green-Light-Emitting Diodes

Gontaruk, O. N.; Коваленко, А. В.; Konoreva, O.V.; Malyj, E.; Petrenko, V. V.; Pinkovska, M.B.; Tartachnyk, V.P.

doi:10.1007/s10812-014-9855-3

Cited by 3 publications

(3 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…At the same time, each of the stage is associated with its own defect or set of defects. At the first stage, the observed reduction in light output power can be described by a similar pattern (2). At the same time, the separation of electron-hole pairs generated by gamma-quanta radiation leads to a reduction in the first stage endowment to the overall light output power reduction.…”

mentioning

confidence: 77%

See 1 more Smart Citation

Influence of Built-in Electric Fields on the Gallium Phosphide- Based LEDs Hardness to Gamma-Ray Irradiation

Orlova¹,

Simonova²,

Градобоев³

2022

IJETAE

View full text Add to dashboard Cite

The paper shows the influence of the power supply mode (without – ―M-B‖ and with the separation of electron-hole pairs – ―M-CC‖ generated by irradiation in the built-in electric field of the pn-junction of light-emitting diodes) on the LEDs emission power changing under gamma quanta. LEDs were based on monocrystalline gallium phosphide. The maximum radiation wavelength is at 655 nm. It is shown that the division of electron-hole pairs in the field of a built-in pn-junction makes it possible to significantly increase their stability. The emission power decreasing as a result of irradiation with gamma quanta is described in three stages. The first stage is due to the radiation-stimulated rearrangement of the first initial defect (complex of defects) of the first type. At the second stage, the decrease in power is due to the radiation-stimulated rearrangement of the initial defect (complex of defects) of the second type. In this case, the separation of electron-hole pairs generated during irradiation leads to a significant LEDs hardness increasing to the of gamma quanta action. At the third stage, the emission power decreasing is due to the only radiation defect’s introduction. For each of the identified stages of emission power reducing, empirical relationships, that describe the emission power changing with the radiation dose increasing and damage factors for the irradiation modes are numerically determined. Keywords— Radiation hardness, LEDs, GaP, gamma quanta, emission power.

show abstract

mentioning

confidence: 77%

“…A wide range of LEDs based on monocrystalline GaP has been mastered for a long time in the conditions of serial production [1][2][3][4]. They still remain in demand by a wide variety of consumers at the same time.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Influence of Built-in Electric Fields on the Gallium Phosphide- Based LEDs Hardness to Gamma-Ray Irradiation

Orlova¹,

Simonova²,

Градобоев³

2022

IJETAE

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Таке велике розширення екситонної смуги у діодах GaP (Zn, O) не може бути лише наслідком впливу поля p-n-переходу. В зеленому зразку вона значно менша [7]. Очевидно, що пояснення слід шукати в різній природі центрів локалізації екситона.…”

Section: результатиunclassified

Exciton Radiation Peculiarities of Red Gallium-Phosphide Leds

Konoreva¹,

Malyi²,

Olikh³

et al. 2016

SEMST

View full text Add to dashboard Cite

Досліджувалися спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hν = 1,845 еВ, виявлено додаткову короткохвильову компоненту hν = 2,206 еВ, існування якої пов'язується з донорно-акцепторними переходами між парами Zn-Sn. Головна особливість цієї лінії-зростання інтенсивності при малих

show abstract

Анализ Ватт-Амперных Характеристик Светодиодов, Изготовленных Из Различных Материалов

Расул,

Орлова

2024

Вестник

View full text Add to dashboard Cite

В работе показан анализ изменения формы ватт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных из различных полупроводниковых структур AlGaInP, InGaN и GaP при изменении уровня инжекции неосновных носителей заряда в активную область светодиода. Показано, что мощность излучения является критериальным параметром светодиодов, основной светотехнической характеристикой и функцией от приложенного прямого тока. Для светодиодов на основе AlGaInP c множественными квантовыми ямами различного типа монтажа наблюдается существенное снижение мощности излучения для СД желтого цвета свечения. Для приборов на основе GaP наблюдается обратная зависимость. Высказано предположение о проявлении примесных центров в качестве центров безызлучательной рекомбинации. Показано, что с высокой точностью для всех типов светодиодов и изготовленных из различных полупроводниковых структур ватт-амперные характеристики описываются одной степенной функцией. Установлено, что показатель степени a в полученном соотношении определяет режим работы светодиода и характеризует квантовый выход индивидуального прибора и чувствительность фотодиода, используемого при измерениях в фотометрическом шаре и различен для различных диапазонов токов. Сделано предположение о различном поведении СД в указанных диапазонах токов при наличии каких-либо внешних воздействий (наработка, старение, длительная эксплуатация, радиационное воздействие).

show abstract

Electroluminescence of Commercial Gap Green-Light-Emitting Diodes

Cited by 3 publications

References 4 publications

Influence of Built-in Electric Fields on the Gallium Phosphide- Based LEDs Hardness to Gamma-Ray Irradiation

Influence of Built-in Electric Fields on the Gallium Phosphide- Based LEDs Hardness to Gamma-Ray Irradiation

Exciton Radiation Peculiarities of Red Gallium-Phosphide Leds

Анализ Ватт-Амперных Характеристик Светодиодов, Изготовленных Из Различных Материалов

Contact Info

Product

Resources

About