Electroluminescence Spectra of “Red” LED AlGaInP / GaAs Structures

Маrmalyuk, А. А.; Gorlachuk, P. V.; Ryaboshtan, Yu. L.; Brudnyi, V. N.; Prudaev, I. А.; Romanov, I. S.; Lelekov, M. A.

doi:10.1007/s11182-013-0114-5

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“…This, in particular, is confirmed by the results [4], where an increase in an external quantum efficiency with increasing number of quantum wells was found. In this paper, a similar result is obtained for large number of LEDs (Fig.…”

Section: Resultssupporting

confidence: 79%

Charge Carrier Transport in LEDs Based on Multiple (Al x Ga1–x )0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P Quantum Wells

et al. 2014

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The results of experimental studies of forward current-voltage characteristics of LEDs with an active region consisting of the multiple (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P/(Al 0.54 Ga 0.46 ) 0.5 In 0.5 P quantum wells are presented. The experiment showed that increasing the number of quantum wells and decreasing the Al content in the Al x Ga 1-x solid solution lead to an increase in the forward current at a fixed voltage. An analysis showed that the results obtained can be interpreted using the theory of diffusion charge transport in a double heterostructure with a narrow-bandgap layer, the thickness of which is many times larger than the thickness of a single quantum well. The proposed approach takes into account the carrier transport by tunneling through the barriers in an active region with multiple quantum wells.

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Section: Resultssupporting

confidence: 79%

Charge Carrier Transport in LEDs Based on Multiple (Al x Ga1–x )0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P Quantum Wells

et al. 2014

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“…It is a common practice in III–As/P planar light-emitting diode structures to use GaInP as the active layer. − By introducing Al in GaInP, the bandgap can be increased all the way to 2.52 eV in AlP but which has an indirect bandgap . The Al/Ga ratio in lattice-matched AlGaInP can be tuned to be used as electron blocking layer keeping the (AlGa)/In ratio constant because the lattice constant changes only slightly with increasing Al due to similar lattice constants for AlP and GaP. , In planar structures, LEDs based on the AlGaInP material system are often grown on GaAs substrates, since (Al x Ga 1– x ) 0.51 In 0.49 P is lattice-matched to GaAs .…”

mentioning

confidence: 99%

Radial Nanowire Light-Emitting Diodes in the (Al_xGa_1–x)_yIn_1–yP Material System

et al. 2015

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“…Vapor Deposition (MOCVD) (MARMALYUK et al, 2013) (BUCHERT et al, 2012). As combinações desses elementos bem como seus teores produzem diferentes comprimentos de ondas eletromagnéticas, conferindo ao LED uma variedade de cores.…”

Section: Montagem Do Ledunclassified

Reciclagem de LED: recuperação de gálio por rota hidrometalúrgica.

Vinhal

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RESUMOOs LEDs (Light Emitting Diodes) são dispositivos essenciais em diversas tecnologias, como lâmpadas, smartphones, televisores e telas. Ao longo dos anos, para suprir a demanda, observou-se uma alta na produção dos LEDs e por consequência um aumento na geração do resíduo. O resíduo de LED é uma fonte com potencial para a recuperação de metais críticos como o Ga. A literatura tem reportado a extração do metal principalmente a partir do semicondutor GaN, e ignorado a sua presença em outras fases e componentes do LED. Dessa forma, este trabalho teve como objetivo propor uma rota hidrometalúrgica para a recuperação do gálio a partir dos dispositivos LED. Para isso, buscou-se avaliar e otimizar as etapas de extração e purificação do metal. O desenvolvimento desse trabalho ocorreu através da caracterização dos dispositivos, ensaios preliminares de lixiviação com pré-tratamento químico e térmico, lixiviação, purificação com resinas de troca iônica, precipitação e calcinação. Observou-se na caracterização, que o LED BQ (branco quente) possui maior concentração de Ce, Ga e Y frente aos modelos BF (branco frio) e VER (vermelho). No modelo BQ, além do Ga no material semicondutor (GaN e InGaN), observou-se o metal nas partículas de material luminescente (Y3Al3Ga2O12:Ce), também conhecidas como fósforo. Ademais, foi observado no modelo branco quente um maior número de partículas de fósforo, justificando os maiores teores de Ce, Ga, e Y. Por essa razão, o dispositivo BQ foi selecionado para o estudo de recuperação do Ga. O pré-tratamento térmico utilizando NaOH como fundente se destacou em relação a máxima extração do metal. Isso porque a estrutura cristalina dos fósforos foi atacada pelo fundente, formando a fase lixiviável NaGaO2. A relação LED/NaOH no pré-tratamento foi a variável avaliada que mais influenciou no processo de lixiviação do Ga. Assim, a extração ótima do Ga ocorreu com o prétratamento dos dispositivos na relação LED/NaOH de 1/1,5, 500°C e 3h, seguido da lixiviação com água na relação S/L de 1/5, 4h, e 25°C. O processo extraiu 87,5±2,7% de Ga. Na purificação, o Ga foi concentrado e separado dos principais contaminantes (Al, Si e Sn) utilizando resina de grupo funcional amidoxima. Por fim, o metal foi precipitado na forma de Ga(OH)3 e calcinado para a obtenção de Ga2O3 com 95% de pureza. A recuperação global de Ga pela rota proposta foi de 84%.

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