2007
DOI: 10.1016/j.elspec.2007.05.005
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Electron density of states at the edge of the valence band of Cd0.88Fe0.12Se—A photoemission yield study

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“…这里A为光照射面积. 根据文献照射光的能量减 去结势垒高度给出了高于价带顶的能量 [12] , 图4 给 出 Pt/GaP, MoS 2 /SiO 2 , Al 0.2 Ga 0.3 In 0.5 P/ Al 0.2 Ga 0.8 As 和P3HT的电子有效占有态的密度 能级分布(也可以表示成电子有效占有态的密度按 照射光的能量分布 [28] ).…”
Section: P3 Ht的实验数据模拟得到了很好的图3中的理unclassified
“…这里A为光照射面积. 根据文献照射光的能量减 去结势垒高度给出了高于价带顶的能量 [12] , 图4 给 出 Pt/GaP, MoS 2 /SiO 2 , Al 0.2 Ga 0.3 In 0.5 P/ Al 0.2 Ga 0.8 As 和P3HT的电子有效占有态的密度 能级分布(也可以表示成电子有效占有态的密度按 照射光的能量分布 [28] ).…”
Section: P3 Ht的实验数据模拟得到了很好的图3中的理unclassified