Методом когерентного потенціалу, що базується на кластерному розкладі для функції Гріна невпорядкованої системи, в рамках однозонної моделі Хаббарда досліджуються взаємоузгоджені атомне і магнeтне близькі впорядкування у бінарних стопах заміщення з сильними електронними кореляціями при T = 0 К. В змінних U-n (потенціал кулонівського відштовхування-електронна концентрація) у напівеліптичній моделі для вихідної густини електронних станів побудовано магнeтні (МФД) та атомні (АФД) фазові діаграми у випадку рівної концентрації компонент ОЦК-стопу. Встановлено, що за значень U, які перевищують значення для верхньої межі появи парамагнeтної фази, в центральній частині МФД (в околі n = 1)