Energy distributions of the particles sputtered by gas cluster ions. Experiment and computer simulation

Ieshkin, A. E.; Nazarov, A. V.; Tatarintsev, A. A.; Kireev, D.S.; Zavilgelsky, A.D.; Shemukhin, A. A.; Chernysh, V. S.

doi:10.1016/j.surfcoat.2020.126505

Cited by 13 publications

(1 citation statement)

References 39 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Применение кластерных ионов в ионнолучевой литографии и наноструктурировании позволяет увеличить коэффициент распыления. Большое число работ (см., например, [2][3][4][5][6][7][8]) посвящено компьютерному моделированию процессов распыления и расчетам коэффициентов распыления. Вместе с тем публикаций об экспериментальных измерениях коэффициентов распыления кластерными ионами, а тем более данных о сравнительной эффективности распыления атомными и кластерными ионами в одинаковых экспериментальных условиях значительно меньше [9,10].…”

Section: поступило в редакцию 8 ноября 2021 г в окончательной редакции 1 декабря 2021 г принято к публикации 2 декабря 2021 гunclassified

Нелинейные Эффекты При Распылении Арсенида Галлия И Кремния Кластерными Ионами Висмута

Tolstogouzov

Мажаров

Иешкин³

et al. 2022

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

An experimental study on the influence of the energy and the number of atoms in the bombarding ions Bin+ (n = 1-4) on the sputter yield of GaAs was carried out. It was shown that the specific sputter yield Ysp nonadditively increase with an increasing of n and specific kinetic energy Esp per an atom in the bombarding ion, and the efficiency of energy transfer from bombarding ions to target atoms also increases with an increasing of n. A comparison was made with the previously obtained results for Si targets.

show abstract