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Using F 18 as tracer the fluorine diffusion is measured in single crystals of CdF,, undoped and doped with Na+ or La3+, in the temperature region 270 to 640 "C. The results are discussed with respect to the disorder and the attainable conversion of CdF, from an insulator to a semiconductor. The fluorine diffusion is large compared with the cation diffusion. I t s dependence on doping is characteristic of Frenkel disorder in the anion sublattice, whereby the fluorine vacancies are more mobile than the fluorine interstitials. From the temperature dependence of the diffusion coefficient follows a value of 0.39 eV for the activation enthalpy of motion of fluorine vacancies and 2.1 eV for the formation enthalpy of a Frenkel pair. Unter Verwendung von F 18 als Tracer wurde die Fluordiffusion in undotierten undNa+-oder La3+-dotierten CdF,-Einkristallen zwischen 270 und 640 ' C untersucht. Die Ergebnisse werden in bezug auf die Fehlordnung und die im CdF, mogliche Konversion Isolator-Halbleiter diskutiert. Die Fluordiffusion erweist sich als grod gegenuber der Kationendiffusion. Die Art der Abhangigkeit von der Dotierung ist charakteristisch fur FrenkelFehlordnung im Anionenteilgitter, wobei im untersuchten Temperaturbereich die Fluorlucken eine hohere Beweglichlreit haben als die Fluorionen auf Zwischengitterpliitzen. Aus der Temperaturabhangigkeit des Diffusionskoeffizienten folgt fur die Aktivierungsenthalpie der Fluorlucken 0,39 eV und fur die Bildungsenthalpie eines Frenkel-Paares 2,l eV.
Using F 18 as tracer the fluorine diffusion is measured in single crystals of CdF,, undoped and doped with Na+ or La3+, in the temperature region 270 to 640 "C. The results are discussed with respect to the disorder and the attainable conversion of CdF, from an insulator to a semiconductor. The fluorine diffusion is large compared with the cation diffusion. I t s dependence on doping is characteristic of Frenkel disorder in the anion sublattice, whereby the fluorine vacancies are more mobile than the fluorine interstitials. From the temperature dependence of the diffusion coefficient follows a value of 0.39 eV for the activation enthalpy of motion of fluorine vacancies and 2.1 eV for the formation enthalpy of a Frenkel pair. Unter Verwendung von F 18 als Tracer wurde die Fluordiffusion in undotierten undNa+-oder La3+-dotierten CdF,-Einkristallen zwischen 270 und 640 ' C untersucht. Die Ergebnisse werden in bezug auf die Fehlordnung und die im CdF, mogliche Konversion Isolator-Halbleiter diskutiert. Die Fluordiffusion erweist sich als grod gegenuber der Kationendiffusion. Die Art der Abhangigkeit von der Dotierung ist charakteristisch fur FrenkelFehlordnung im Anionenteilgitter, wobei im untersuchten Temperaturbereich die Fluorlucken eine hohere Beweglichlreit haben als die Fluorionen auf Zwischengitterpliitzen. Aus der Temperaturabhangigkeit des Diffusionskoeffizienten folgt fur die Aktivierungsenthalpie der Fluorlucken 0,39 eV und fur die Bildungsenthalpie eines Frenkel-Paares 2,l eV.
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