Изучены эффекты зарядки диэлектрических мишеней при облучении электронами средних энергий в сканирующем электронном микроскопе. Установлены существенные различия кинетики зарядки для исходных образцов и образцов, предварительно облученных электронами и ионами. Эти различия объясняются радиационно-стимулированным дефектообразованием в образцах Al2O3 (сапфир) и SiO2, имеющим, однако, различную природу. Показана роль модификации структуры поверхности и изменения электрофизических характеристик поверхности, в частности эффекта растекания зарядов. Обнаружены критические значения дозы облучения как ионами Ar+, так и электронами, при которых начинается активное дефектообразование в диэлектрических мишенях, а также критические значения внутренних полей зарядов, вносящих существенный вклад во временные характеристики зарядки Al2O3 и SiO2. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 15-02-07819а). DOI: 10.21883/FTT.2017.08.44749.460