An ESR stndy of Te0,-doped V,05 single crystals is made in order to get information on the position of tellurium in the lat,tice. . I model is proposed in which the Te4+ ion is inserted into the cha.nnels of t,he orthorhomhic strncture, between two cleavage planes. Such a model agrees with previous works on V,O,-TeO, glasses. I t shows that the behaviour of TeO, and P,O, glass formers is very different and may explain the higher elect,rical conductivity of V,05-TeO, glasses.
Das ESR Spektruin von mitTellur dotierten V,O,-Einkristallen wird untersncht, um die Lolralisierung des Tellurs in der V,O,-Struktnr zu bestimmen. Ein Modell mird vorgeschlagen? in dem die Te-Ionen in den orthorombischen Stritkturkaniilen zwischen zmei (a, e)-Ebenen eingebaut werden. Dieses Modell stirnmt mit bekannten Ergebnissen uber V2,O5-TeO2-Glaser uberein. Es bemeist,, daB sich TeO, und P,O, verschieden verhalten, womit die liohere elektrische Leitfahigkeit der TeO,-V,O,-GIaser erklLrt werden kann.