Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.

Abstract

A meus pais e minha irmã pelo apoio, carinho, incentivo e compreensão nos momentos difíceis, e de ausência, vocês são tudo para mim. Ao Prof. Dr. Sorin Cristoloveanu, pela oportunidade da realização do doutorado sanduiche (Brasil/França), além da atenção, incentivo, e discussões no decorrer deste trabalho. Ao amigo, mais que amigo Luciano Mendes Camillo pela compreensão, ajuda, incentivo, confiança, companheirismo e milhares de discussões, muito obrigada. A minha amiga irmã Débora pela compreensão, amizade, apoio, e companheirismo. E em especial à minha afilhada Karolina, meu maior presente. Ao Prof. Dr. Salvador P. Gimenes e Noel Rodriguez pela atenção, incentivo, e discussões no decorrer deste trabalho. Aos amigos Milene Galeti, Michele Rodrigues e Vinícius Heltai pelo incentivo, discussões, e apoio durante esta jornada. Aos colegas grupo SOI-CMOS pelo incentivo, discussões, e apoio durante este trabalho. Ao Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP, e ao IMEP-França pela infra-estrutura oferecida e ao CNPq e CAPES pelo apoio financeiro que permitiram a realização deste trabalho. A meus avós Alcides, Dirce e Pedro (in memorian) que não puderam ver onde cheguei, mas tenho certeza que mesmo de longe olham por mim. À minha avó Medina, pelo apoio, incentivo e principalmente por entender os momentos que não estive presente. A minha eterna professora de piano, Agda que desde 1.993 acompanha minha evolução, me apoiando e incentivando, na música, na minha carreira profissional e na minha vida pessoal.

Aplicação de transistores SOI sem junções em espelhos de corrente de diferentes arquiteturas

“…Além disso, a transcondutância (gm) de um transistor de fonte comum é uma medida de quanto a taxa de variação da corrente de saída (ID) varia com a taxa de variação da tensão de entrada (VGS) conforme a equação 1, que consiste na inclinação de uma reta tangente a cada ponto da curva da corrente de dreno da Figura 10, onde um desses pontos é enfatizado [22], [24]. Então, a partir da inclinação de cada ponto de da curva da corrente de dreno em função da tensão entre porta e fonte (ID x VGS), a curva da transcondutância em função da tensão entre porta e fonte pode ser extraída para um valor de VDS constante, como mostrada na Figura 11, onde gm,máx é a transcondutância máxima [51].…”