The exciton luminescence intensity and the electric conductivity are measured simultaneously during optical excitation in high-purity Ge and in p-doped Ge a t 4.2 l< as o function of an applied electric field. With increasing field the exciton density decreases due to exciton impact ionization. The carriers which are set free by this process result in a distinct increase in the electric conductivity. For undoped Ge ths results agree well with a rate equation model based on impact ionization of the excitons. In the p-doped Ge impurity impact ionization is found to have a strong influence in addition to impact ionization of the excitons.Die Exzitonenlumineszenzintensitat und die elektrische Leitfahigkeit von hochreinem Ge und p-leitendem Ge werden simultan wahrend optischer Anregung bei 4,2 K in Abhangigkeit vom elektrischen Feld gemessen. Nit wachsendem Feld nimmt die Exzitonendichte infolge von Exzitonen-stoBionisation ab. Die durch diesen ProzeB freigesetzten Ladungstrager fiihren zu einer deutlichen Erhohung der elektrischen Zeitfahigkeit,. Fur undotiertes Germanium stimmen die Ergebnisse gut mit einem Bilanzgleichungsmodell uberein, das auf StoBionisation der Exzitonen beruht. Fur p-leitendes Ge wird gefunden, daB Storstellenionisation zusiitzlich zur StoBionisation der Exzitonen einen starken EinfluB hat.