2004
DOI: 10.1002/sia.1680
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Extremely low sputtering degradation of polytetrafluoroethylene by C60 ion beam applied in XPS analysis

Abstract: We have applied sputtering using a buckminsterfullerene (C 60 ) ion beam for XPS analysis. A practical sputter rate of 2.4 nm min −1 for SiO 2 was obtained for sputtering an area of 5 mm × 5 mm using a 5 kV C 60 ion beam with an energy of 83 eV per carbon atom. Extremely low sputtering degradation of polytetrafluoroethylene was observed in these conditions. The results were compared with argon ion beam energies of 500 V and 5 kV. These are the first results utilizing a C 60 ion beam for XPS analysis with limit… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3

Citation Types

3
65
0
3

Year Published

2005
2005
2016
2016

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 97 publications
(71 citation statements)
references
References 9 publications
3
65
0
3
Order By: Relevance
“…Ионные пучки фуллерена C 60 нашли применение во вторичной ион-ной масс-спектрометрии (ВИМС) [1-4] для распыления анализиру-емого вещества, послойного анализа методом рентгеновской фото-электронной спектроскопии (РФЭС) [5,6], показана также возмож-ность формирования из них сверхтвёрдых нанокомпозитных по-крытий [7][8][9]. Интервал энергий, где происходит смена роста плён-ки на распыление поверхности, индивидуален для материала ми-шени [10] и, кроме того, может быть связан с химическим составом остаточной атмосферы вакуумной камеры [11].…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Ионные пучки фуллерена C 60 нашли применение во вторичной ион-ной масс-спектрометрии (ВИМС) [1-4] для распыления анализиру-емого вещества, послойного анализа методом рентгеновской фото-электронной спектроскопии (РФЭС) [5,6], показана также возмож-ность формирования из них сверхтвёрдых нанокомпозитных по-крытий [7][8][9]. Интервал энергий, где происходит смена роста плён-ки на распыление поверхности, индивидуален для материала ми-шени [10] и, кроме того, может быть связан с химическим составом остаточной атмосферы вакуумной камеры [11].…”
Section: Introductionunclassified
“…Если распыление кремния ионами C 60 исследовалось как экспериментальными [11,12], так и теорети-ческими [10,13] методами, то зависимость коэффициента распыле-ния SiO 2 от энергии не определена до сих пор. В работе [6] показана возможность распыления SiO 2 ионами C 60 энергией 5 кэВ со скоро-стью 2,4 нм/мин. Известно также, что при энергии 2,5 кэВ на по-верхности стекла, основным компонентом которого является SiO 2 , формируется углеродная плёнка [14].…”
Section: Introductionunclassified
“…In particular, the low damage sputtering enables the molecular depth profiling of organic materials. For example, the analysis of polymers [13,14] and biological cells [15] and analysis using an organic photoluminescence device [16] have been reported. In this study, human hair surface structures were analyzed using the TOF-SIMS depth profiling technique with C 60 sputtering.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…The use of C 60 + sputtering has enabled molecular depth profiling by both XPS [1] and TOF-SIMS [2]. Figure 1 shows the XPS C1s and O1s spectrum of Teflon after sputtering to various depths with 500 eV Ar + and 10 keV C 60 + .…”
mentioning
confidence: 99%
“…The use of C 60 + sputtering has enabled molecular depth profiling by both XPS [1] and TOF-SIMS [2]. …”
mentioning
confidence: 99%