F‐Center Formation by Fundamental Absorption in KI

Abstract

Irradiation of KI in the fundamental edge results in a temperature dependent rate of F-center growth predominantly proportional to the inverse of the number of F-centers already produced. This is related to a new experimental resultthe quenching of low temperature luminescence in irradiatively colored crystals. In addition, the production of F-centers by absorption in perturbed exciton bands and the intrinsic production of u-centers are discussed.Bestrahlung von K J in der Bandkante fuhrt zu einer temperaturabhiingigen Verfiirbung des Kristalls durch F-Zentren. Die Bildung der F-Zentren verliiuft im wesentlichen umgekehrt proportional zu der Zahl der schon gebildeten F-Zentren. Dies ist verbunden mit einem neuen experimentellen Egebnisder Unterdruckung der Tieftemperatur-Lumineszenz in durch Strahlung verfiirbten Kristallen. AuBerdem wird die Bildung von F-Zentren durch Absorption in gestiirten Exzitonenbanden und die Bildung von u-Zentren diskutiert.

Simulation of the Nonlinear Dose Dependence of Stabilized Point Defects

“…Parker [5] reported on the excitoninduced F-center growth in KI and KBr crystals, where the F-center growth was found to be a volume process and the concentration was found to have a square-root dependence on the number of absorbed photons. Goldstein [6,7] also showed that in KI, the optical density at the F band peak goes like the square root of time of irradiation by deuterium UV light. Later, Kristianpoller and Israeli [8] and Israeli et al [9] explained the linear and non-linear dose dependencies of thermoluminescence (TL), previously reported in different materials by these excitonic processes.…”

Ensemble expérimental de mesures optiques sous irradiation électronique

“…L'extinction de la photoluminescence du cristal pur est mesurée de la même façon car la profondeur de pénétration des électrons est supérieure à celle de la lumière de photoexcitation UV (de l'ordre de la longueur d'onde). En créant les défauts par irradiation électronique, nous avons alors l'avantage, sur les expériences où les défauts sont formés par irradiation UV [5], d'obtenir une coloration uniforme dans toute la couche irradiée et de pouvoir ainsi effectuer une mesure précise de la concentration en défauts.…”