Fabrication and microwavemicrowave photoconductivity of CdSe semiconductor films

Meteleva, Yu. V.; Новиков, Г. Ф.

doi:10.1134/s1063782606100034

Cited by 6 publications

(1 citation statement)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Полученные спектры, представляющие собой типичные спектры отражения-поглощения (RAS) с двойным прохождением света через слой исследуемого вещества и отражения от ситалловой подложки, обрабатывали по методике, описанной в [12,13]. Учитывая степенной закон (1) для собственного поглощения, можно записать: 2 в области края поглощения позволяет определить оптическую ширину запрещенной зоны сульфида (рис.…”

Section: оригинальные статьиunclassified

Оптические свойства активированных ионами меди и серебра пленок системы CdS–ZnS, осажденных при различных температурах

Samofalova

Семенов

Proskurina

et al. 2019

kcmf

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы спектры поглощения и отражения активированных ионамимеди и серебра пленок CdS–ZnS, полученных методом пиролиза аэрозоля из растворовтиомочевинных координационных соединений бромидов цинка и кадмия при разныхтемпературах. Определены зависимости оптической ширины запрещенной зоны от со-става пленок системы CdS–ZnS. Изучено влияние температуры осаждения и активирующейпримеси на оптическую ширину запрещенной зоны синтезированных сульфидов ЛИТЕРАТУРА1. Гаврилов С. А., Шерченков А. А., Апальков А. Б., Кравченко Д. А. Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнечных элементов с тонким абсорбирующим слоем // Российские нанотехнологии, 2006, т. 1(1–2), с. 228–232. Режим доступа: https://elibrary.ru/item.asp?id=9232621 (дата обращения: 26.11.19)2. Kudiy D. A., Klochko N. P., Khripunov G. S., Kovtun N. A., Krikun K. Y., Belonogov Y. K. Elaborationof cadmium sulphide fi lm layers for economical solar cells // Photoelectronics, 2009, v. 18, pp. 39–42. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.1156793. Бачериков Ю. Ю., Кицюк Н. В. Люминофоры на основе легированного сульфида цинка с одинаковой спектральной плотностью излучения в диапазоне от 500 до 750 nm // Журнал техническойфизики, 2005, т. 75(5), с. 129–130. Режим доступа: https://journals.ioffe.ru/articles/8562 (дата обраще-ния: 26.11.19)4. Сычев М. М., Огурцов К. А., Лебедев В. Т., Кульвелис Ю. В., Torok G., Соколов А. Е., Трунов В. А.,Бахметьев В. В., Котомин А. А., Душенок С. А., Козлов А. С. Влияние концентрации меди и обработкиZnS на характеристики синтезированных электролюминофоров ZnS:Cu,Cl // ФТП, 2012, т. 46(5), с.714–718. Режим доступа: https://journals.ioffe.ru/articles/7713 (дата обращения: 26.11.19)5. Самофалова Т. В., Семенов В. Н., Нитута А. Н., Звягина О. В., Проскурина Е. Ю. Синтез и свойствапленок системы СdS–ZnS, легированных ионами меди // Конденсированные среды и межфазные границы, 2018, т. 20(3), с. 440–447. DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/5826. Самофалова Т. В., Наумов А. В., Семенов В. Н., Салтыков С. Н. Влияние температуры осажденияна оптические свойства и фазовый состав пленок Cd1–xZnxS // Конденсированные среды и межфазныеграницы, 2010, т. 12(3), с. 247–257. Режим доступа: https://elibrary.ru/item.asp?id=15574169 (дата обращения: 26.11.19)7. Powder Diffraction File. Swarthmore: Joint Committee on Powder Diffraction Standards, 1996.8. Физика и химия соединений AIIBVI / Пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970, 624 с.9. Кирьяшкина З. И., Роках А. Г., Кац Н. Б. Фотопроводящие пленки (типа CdS). Саратов, Изд-воСарат. ун-та, 1979, 192 с.10. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 302 с.11. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975, 218 c.12. Kumar V., Sharma T. P. Structural and optical properties of sintered CdSxSe1–xS fi lms // J. Phys. Chem.Sol., 1998, v. 59(8), p. 1321. DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-3697(98)00035-313. Метелева Ю. В., Новиков Г. Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пле-нок CdSe // ФТП, 2006, т. 40 (10), с. 1167–1174. Режим доступа: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6162 (дата обращения: 26.11.19)

show abstract

Section: оригинальные статьиunclassified

Оптические свойства активированных ионами меди и серебра пленок системы CdS–ZnS, осажденных при различных температурах

Samofalova

Семенов

Proskurina

et al. 2019

kcmf

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Recombination rate constant of free electrons and holes in thin CdSe films

Radychev

Новиков

2006

Russ Chem Bull

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The decay kinetics of electrons generated in thin CdSe films by laser pulse (wavelength 337 nm, pulse duration 8 ns) at 295 K was studied by the microwave photoconductivity method (36 GHz). Based on analysis of the photoresponse decay kinetics and the reactions of free and trapped electrons, holes, and ions, a model for the processes was proposed and the recombina tion rate constant of free electrons and holes in cadmium selenide was determined, being (4-6)•10 -11 cm 3 s -1 .Although the wide use of cadmium selenide in tech nology is based on the well known phenomenon of photogeneration of current carriers, quantitative data on reactions of charged particles in CdSe are virtually lack ing. Presently, this situation noticeably impedes progress in the area of using cadmium selenide, because it is diffi cult to predict the limiting characteristics of the devel oped devices when these data are insufficient. Data on rate constants (cross sections) of elementary reactions resulting in the decay of excessive charges, which deter mine the amplitude and time characteristics of the photoresponse, are key from this point of view. One of the main reactions responsible for the time parameters of the photoresponse is the recombination of free electrons and holes. Although charge recombination was studied in many works, the problem remains unclear because of lacking quantitative data.The most efficient method to obtain the quantitative characteristics is a study of the decay kinetics of charges in systems, whose properties can easily be changed during or immediately after the synthesis. This is difficult to per form for measurements on single crystals. Thin CdSe films prepared by the pyrolysis of complexes 1 are more appro priate, most likely, for these purposes than other materi als. However, because of an insufficient time resolution of the UHF procedure in the 3 cm range used, research ers 1 restricted their consideration only by the estimation of the rate constant of recombination of free electrons and holes. In the present work, the measurements are carried out in the 8 mm range. ExperimentalStudies were carried out on CdSe films* prepared by sput tering (pulverization method) of aqueous solutions of the {Cd[(NH 2 ) 2 CSe] 2 Cl 2 } complexes on a glassceramic (Pyroceram type) support heated to 550 °C. 1-3 The complex decomposed to form a sulfide film uniformly doped with the corresponding admixtures. The typical film thickness was 5-10 µm.The kinetics of electron decay was studied by the method of UHF photoconductivity (8 mm range). Changes in the reflec tion coefficient of electromagnetic waves from a resonator with a sample of small volume, which are induced by a short light pulse on the sample, were detected. 2,4,5 The time resolution of the instrument was τ r = 10 ns. Samples were irradiated with pulses from an LGI 505 nitrogen laser (wavelength 337 nm, pulse duration τ p = 8 ns). In measurements, the light intensity was varied by more than three orders of magnitude, using light filters and changing the beam focusing. ...

show abstract

One-step electrochemical synthesis of Cu—Zn—Sn—Se precursor thin films from solutions containing lactic acid

2016

View full text Add to dashboard Cite

Fabrication and microwavemicrowave photoconductivity of CdSe semiconductor films

Cited by 6 publications

References 11 publications

Оптические свойства активированных ионами меди и серебра пленок системы CdS–ZnS, осажденных при различных температурах

Оптические свойства активированных ионами меди и серебра пленок системы CdS–ZnS, осажденных при различных температурах

Recombination rate constant of free electrons and holes in thin CdSe films

One-step electrochemical synthesis of Cu—Zn—Sn—Se precursor thin films from solutions containing lactic acid

Contact Info

Product

Resources

About