Fabrication of high gauge factor piezoresistive nanocrystalline Si film using aluminum-induced crystallization of HWCVD deposited a-Si:H

Abstract

Aluminum-induced crystallization (AIC) has been used to achieve device quality nc-Si thin films, at annealing temperatures ranging from 300 to 450°C, exhibiting electronic properties favourable for piezoresistive microelectromechanical systems sensor application. The nc-Si films obtained by AIC at an annealing temperature of 400°C showed hole concentration of the order of 10 18 cm −3 and the Hall mobility was measured to be 13.5 cm 2 V −1 s −1 . The films were subjected to piezoresistive gauge factor measurement and a gauge factor of 43 was recorded in the longitudinal mode under a sample scheme of constant force over the entire sample area, which is the highest reported to date for thin film nc-Si.Résumé : Nous utilisons la cristallisation induite par de l'aluminium (AIC) pour fabriquer des films minces de nc-Si de haute qualité, à des températures de recuit allant de 300 à 450°C et qui montrent des propriétés électroniques favorables à leur utilisation dans des senseurs piézorésistifs MEMS. Les films de nc-Si obtenus par AIC à température de recuit de 400°C montrent une concentration de trous de l'ordre de 10 18 cm -3 et nous mesurons leur mobilité de Hall à 13.5 cm 2 V −1 s −1 . La mesure du facteur géométrique (gauge factor) piézorésistif des films donne une valeur de 43 dans le mode longitudinal, dans un cas où le dispositif est soumis à une force constante sur toute la surface de l'échantillon, ce qui représente la plus haute valeur rapporté à date pour un film mince de nc-Si. [Traduit par la Rédaction]