2016
DOI: 10.1088/1054-660x/26/12/125001
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Fast mirrors for femtosecond passive mode-locked near-infrared lasers

Abstract: The design, manufacturing and characterization of the near infrared fast, low non-saturable loss semiconductor mirrors with saturable absorption based on InGaAs quantum wells separated by super-lattice GaAs/InGaAs barriers are analyzed from the viewpoints of recovery time shortening mechanism and of further improvement of mirror performance.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2018
2018
2020
2020

Publication Types

Select...
3

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(2 citation statements)
references
References 37 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…В нашей практике конструирования и изготовления полупроводниковых зеркал с насыщающимся поглощением для ближнего ИКдиапазона используются квантовые ямы с барьерами, структурированными наноразмерными вставками более узкозонного материала [3][4][5]. Изготовление структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гарантирует высокую кристалличность образцов, которая контролируется в процессе роста.…”
unclassified
See 1 more Smart Citation
“…В нашей практике конструирования и изготовления полупроводниковых зеркал с насыщающимся поглощением для ближнего ИКдиапазона используются квантовые ямы с барьерами, структурированными наноразмерными вставками более узкозонного материала [3][4][5]. Изготовление структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гарантирует высокую кристалличность образцов, которая контролируется в процессе роста.…”
unclassified
“…Количество квантовых ям регулирует глубину насыщающегося поглощения, а наноструктурирование барьеров позволяет достичь времени восстановления в несколько пикосекунд. Отражательная часть зеркал [3][4][5] была выполнена из пар четвертьволновых слоев арсенида галлия и арсенида алюминия. Исследование подобных зеркал было проведено [6] для интенсивностей рабочего излучения до 5,4 ГВт/см 2 с центральной длиной волны 1035 нм.…”
unclassified