Представлены результаты разработки для ближнего ИК-диапазона полупроводниковых зеркал с насыщающимся поглощением и их исследования в широком диапазоне интенсивностей излучения накачки методом накачка-зондирование. Результаты интерпретированы в рамках модели, учитывающей вклады в отражение фотогенерированных экситонов и свободных носителей заряда. Обсуждаются проблемы дальнейшего увеличения плотности сфокусированного рабочего излучения, допустимой для нормального функционирования и целостности зеркал, и способы их преодоления путем изменения конструкции. Ключевые слова: квантовые ямы, быстродействующие полупроводниковые зеркала (A 3 B 5) с насыщением поглощения, пассивная синхронизация мод лазеров.