Fine structure of the Mn acceptor in GaAs

Акцепторный центр Mn-=SUB=-Ga-=/SUB=- в GaAs ( О б з о р )

“…При этом наблюдалось, что расщепление F 1 -состояния в случайных полях (|δ 1 |) в исследованном образце составляет 0.6−0.7 meV. Это в рассматриваемой нами модели, использовавшейся и в работе [33], означает (см. раздел 4), что эффективное расщепление |δ| исходного Ŵ 8 -состояния дырки, связанной на центре, в случайных полях равно 4−5 meV и заметно превышает по абсолютной величине полученную константу обменного взаимодействия.…”

“…Сильное расщепление электронных состояний под влиянием случайных полей в образце, исследованном в работе [33], подтверждается и спектром излучения, обу-словленным рекомбинацией электрона и дырки, локализованной на Mn 0 Ga . Как видно из этого спектра, первое фононное повторение основной линии, отстоящее от нее на ∼ 35 meV (см.…”

“…рис. 1 в [33]) из-за уширения этих линий проявляется только в виде плеча, а не в качестве отдельного пика.…”

“…Указанные обстоятельства не позволяют определить реальную погрешность оценки константы обменного взаимодействия, приводимой в работах [17,32,33], и тем самым установить, согласуется ли она с оценками, приведенными в разделах 2 и 3.…”

Spin relaxation in diluted magnetic semiconductors. GaMnAs as example

“…In GaAs doped with Mn, the S = 5/2 local moments of the Mn ions are exchange coupled with holes provided by substituting of Ga with Mn [7][8][9][10][11]. In low doping regime, when average distance between ions exceeds Mn acceptor radius, exchange interaction between manganese d shell electrons with total spin S = 5/2 and hole with angular momentum J = 3/2 results in the splitting of ground state into four levels with total angular momentum F = 1 ÷ 4 [12,13].…”