First principles investigations of electronic and thermoelectric properties of BeSiPn2 (Pn = P, As) chalcopyrite compounds

Analysis of ternary AlGaX2(X = As, Sb) compounds for opto-electronic and renewable energy devices using density functional theory

“…From figure 2, it is obvious that both compounds (AlGaAs 2 and AlGaSb 2 ) reveal direct band gap nature having values of 1.40 eV and 0.7 eV, respectively. It can be observed from Table 2 that the calculations executed by PBEsol+SOC package led to the underestimation of calculated bandgap and this observation is in line with the previously calculated PBE-GGA functional results [51]. For an inclusive analysis of electronic dimensions and the band energy existence of materials, electronic density of state (DOS) is very significant [52].…”

Электронная структура кристаллов Be-IV-P-=SUB=-2-=/SUB=- с решеткой халькопирита

“…Анализ публикаций за последние 10 лет показывает, что по-прежнему сохраняется интерес к соединениям II-IV-V 2 (II = Be, Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, Hg; IV = C, Si, Ge, Sn; V = N, P, As, Sb) с решеткой халькопирита [12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23], в том числе к гипотетическим кристаллам Be-IV-V 2 . В работе [12] рассмотрены электронные и магнитные свойства двух гипотетических арсенидов BeSiAs 2 и BeGeAs 2 со структурой халькопирита, легированных переходными металлами (Mn,Cr) и далее в [13] структурные, электронные и оптические свойства для 24 халькопиритоподобных соединений: II-IV-V 2 (II = Be, Mg, Zn, Cd; IV = Si, Ge, Sn; V = P, As).…”

“…В работах [20,21] Обзор литературы показал, что кристаллы Be-IV-V 2 со структурой халькопирита представляют практический и научный интерес, но являются гипотетическими, поэтому они изучались разными авторами с помощью разных программ и приближений. Не все кристаллы Be-IV-V 2 изучены одинаково хорошо и полно, наиболее исследованными являются нитриды, фосфиды и арсениды, содержащие Si, Ge и Sn, кристаллы BeC-V 2 (V = N, P, As, Sb) в изоэлектронных рядах обычно отсутствуют.…”