2000
DOI: 10.1063/1.373412
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Formation and decomposition of hydrogen-related electron traps at hydrogenated Pd/GaAs (n-type) Schottky interfaces

Abstract: We demonstrate a capability for exploring the behavior of hydrogen at a Pd/GaAs (n-type) Schottky interface containing a native oxide. By applying a large forward current to such a hydrogenated interface, a remarkable reduction of the hydrogenation effect was observed. Formation of hydrogen-related electron traps near the interface could be responsible for this reduction of hydrogenation effect. Moreover, evidence was observed for the decomposition of those electron traps when hydrogen was forced to diffuse ou… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2001
2001
2019
2019

Publication Types

Select...
1
1

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(1 citation statement)
references
References 23 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Несмотря на эти недостатки арсенида галлия, исследования и разработки как технологии изготовления и свойств арсенида галлия, так и различных приборов на его основе (начатые в начале 60-х годов) продолжаются уже более 50 лет [5 10], включая исследования структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия с различными материалами барьерообразующего контакта [7,8]. Одной из таких структур является структура Pd-n-GaAs c барьером Шоттки, применяемая в сенсорах водорода и содержащая тонкий оксидный слой на границе раздела металлполупроводник [11][12][13][14][15][16]. Возможно, реакции Pd с GaAs на границе раздела металл-полупроводник при повышенных температурах [17 22] явились причинами снижения интереса к контакту полупрозрачная пленка Pd-n-GaAs и фактического отсутствия работ, связанных с исследованиями фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе этого контакта, которым посвящена настоящая работа.…”
unclassified
“…Несмотря на эти недостатки арсенида галлия, исследования и разработки как технологии изготовления и свойств арсенида галлия, так и различных приборов на его основе (начатые в начале 60-х годов) продолжаются уже более 50 лет [5 10], включая исследования структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия с различными материалами барьерообразующего контакта [7,8]. Одной из таких структур является структура Pd-n-GaAs c барьером Шоттки, применяемая в сенсорах водорода и содержащая тонкий оксидный слой на границе раздела металлполупроводник [11][12][13][14][15][16]. Возможно, реакции Pd с GaAs на границе раздела металл-полупроводник при повышенных температурах [17 22] явились причинами снижения интереса к контакту полупрозрачная пленка Pd-n-GaAs и фактического отсутствия работ, связанных с исследованиями фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе этого контакта, которым посвящена настоящая работа.…”
unclassified