1 Омский государственный технический университет, г. Омск 2 Омский государственный университет им. Ф. м. Достоевского, г. Омск Влияние УСлоВий изгоТоВления нА элеКТричеСКие и фоТоэлеКТричеСКие СВойСТВА фоТоэлеменТА нА оСноВе КонТАКТА Pd-n-GaAs С БАрьером шоТТКи Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания, и определена высота барьера Шоттки Вп контактов Pd-n-n + -GaAs фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур n-n + -GaAs-AuGe в воздухе при (200-210) С в течение 30 минут перед осаждением пленки Pd на n-слой GaAs приводит: к уменьшению на два порядка прямых I пр и обратных токов I обр (при V=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J 0 , уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (241-233) пФ при обратных напряжениях (0,22-0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя диэлектрика на n-слое при отжиге структур n-n + -GaAs-AuGe в воздухе. Ключевые слова: способ изготовления фотоэлемента, арсенид галлия n-типа, контакты с барьером Шоттки.