Formation of textured Ni(200) and Ni(111) films by magnetron sputtering

Dzhumaliev, A. S.; Nikulin, Yu. V.; Filimonov, Yu. A.

doi:10.1134/s1063784216060141

Cited by 7 publications

(6 citation statements)

References 19 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The appearance of a minimum in the M (T) curves in pure ferromagnetic cobalt at low temperatures indicates the presence of a spin glass feature [27,28] or other kinds of magnetic inhomogeneity. For example, paramagnetic particles may be present [29].…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Magnetic and Resonance Properties of a Low-Dimensional Cobalt–Aluminum Oxide–Germanium Film Tunnel Junction Deposited by Magnetron Sputtering

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

The temperature behavior of saturation magnetization and the temperature behavior of the integral signal intensity in electron magnetic resonance spectra is experimentally studied comprehensively using a low-dimensional Al2O3/Ge/Al2O3/Co (aluminum oxide–cobalt–aluminum oxide–germanium) tunnel junction with different deposition velocities of a ferromagnetic metal (Co) thin layer and non-magnetic layers (Al2O3/Ge/Al2O3). The cobalt ferromagnetic layer was deposited on aluminum oxide in two ways: in one cycle of creating the structure and with atmospheric injection before deposition of the cobalt layer. The thermomagnetic curves revealed the appearance of minima observed at low temperatures on both sides of the cobalt layer. Possible sources of precession perturbations at low temperatures can be explained by: the influence of the Al2O3 layer structure on the Al2O3/Co interface; residual gases in the working chamber atmosphere and finely dispersed cobalt pellets distributed over the cobalt film thickness. The work offers information of great significance in terms of practical application, for both fundamental physics and potential applications of ultrathin films.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Magnetic and Resonance Properties of a Low-Dimensional Cobalt–Aluminum Oxide–Germanium Film Tunnel Junction Deposited by Magnetron Sputtering

et al. 2022

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Снижение давления рабочего газа до P ≈ 0.13 Pa приводит к тому, что пленки формируются с " переходным" типом микроструктурного строения -на начальных этапах роста образуется квазиоднородная микроструктура, которая изменяется на " гранулированную" при достижении пленкой критической толщины d c , величина которой определяется условиями осаждения, в частности температурой подложки. Нужно отметить, что " переходный" тип микроструктурного строения пленок по толщине ранее наблюдался для текстурированных пленок Ni(200) с fcc кристаллической структурой [40,43], и его формирование может быть связано с конкурирующим воздействием на кинетику роста пленки процессов нестабильности скорости роста fcc и hcp кристаллитов из-за эффекта самозатенения и ограничения поверхностной диффузии [54,55]…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

“…В настоящей работе показана возможность формирования на подложках SiO 2 /Si, находящихся при комнатной температуре, текстурированных пленок кобальта толщиной d ≈ 300 nm с термически стабильной доминирующей кристаллической фазой fcc-Co(200) за счет снижения давления рабочего газа до значений P ≈ 0.13 Pa, при которых режим пролета распыленных атомов Co становится бесстолкновительным и обеспечивает высокую миграционную способность адатомов по подложке [40]. Также исследовано влияние послеростового отжига в вакууме при T a ≈ 650 K на кристаллическое и микроструктурное строение полученных пленок Со/SiO 2 /Si.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние давления аргона и отжига на микрокристаллическую структуру текстурированных пленок Co, осаждаемых магнетронным распылением

Джумалиев¹,

Никулин²,

Филимонов³

2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Исследовано влияние давления аргона P (0.13 ≤ P ≤ 1 Pa) и отжига в вакууме на микроструктуру и текстуру пленок кобальта толщиной d ≈ 300 nm, полученных методом магнетронного распыления на подложках SiO 2 /Si. Показано, что пленки, осаждаемые при давлении 0.26 ≤ P < 1 Pa, характеризуются столбчатой микроструктурой по толщине и смешанной кристаллической фазой hcp-Co(002)/fcc-Co(111). Отжиг приводит к более однородному микроструктурному строению за счет увеличения размеров зерен и улучшает текстуру hcp-Co(002)/fcc-Co(111). Пленки, осаждаемые при 0.13 ≤ P < 0.18 Pa, имеют смешанную кристаллическую фазу-помимо фаз hcp-Co(002)/fcc-Co(111) и hcp-Со(101) присутствует кристаллическая фаза с гранецентрированной кубической кристаллической решеткой и текстурой fcc-Со(200). Пленки, выращенные при P ≈ 0.13 Pa, характеризуются текстурой fcc-Со(200) и неоднородным микроструктурным строением по толщине-на границе с подложкой, в слое толщиной dc ≈ 100−130 nm, пленки имеют квазиоднородную микроструктуру, которая на толщинах d > dc переходит в " гранулированную". Отжиг таких пленок приводит к более однородному микроструктурному строению за счет увеличения размеров зерен, улучшает текстуру fcc-Со(200) и приводит к появлению кристаллической фазы fcc-Со(111)/hcp-Со(002).

show abstract

“…The good electrical and magnetic properties of nickel, as well as resistance to corrosion and oxidation, allow it to be used in electronics, optics and healthcare [1,2]. The nickel layers are used as orienting layers for growing graphene and copper films [2].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Microstructure and Properties of Thin-Film Submicrostructures Obtained by Rapid Thermal Treatment of Nickel Films on Silicon

Lapitskaya,

Trukhan,

Kuznetsova

et al. 2024

Surfaces

View full text Add to dashboard Cite

Nickel films of 40 nm thickness were obtained by means of magnetron sputtering on a single-crystalline silicon substrate. The films were subjected to rapid thermal treatment (RTT) for 7 s until the temperature increased from 200 to 550 °C. By means of the X-ray diffraction method, the structural-phase composition of nickel films before and after RTT was explored. The atomic force microscopy method due to direct contact with the surface under study, made it possible to accurately define the microstructure, roughness, specific surface energy and grain size of the nickel films before and after RTT, as well as to establish the relationship of these parameters with the phase composition and electrical properties of the films. Surface specific resistance was measured using the four-probe method. Based on XRD results, formation of Ni2Si and NiSi phases in the film was ascertained after RTT at 300 °C. At RTT 350–550 °C, only the NiSi phase was formed in the film. The microstructure and grain size significantly depend on the phase composition of the films. A correlation has been established between specific surface energy and resistivity with the average grain size after RTT at 350–550 °C, which is associated with the formation and constant restructuring of the crystal structure of the NiSi phase.

show abstract

Formation of textured Ni(200) and Ni(111) films by magnetron sputtering

Cited by 7 publications

References 19 publications

Magnetic and Resonance Properties of a Low-Dimensional Cobalt–Aluminum Oxide–Germanium Film Tunnel Junction Deposited by Magnetron Sputtering

Magnetic and Resonance Properties of a Low-Dimensional Cobalt–Aluminum Oxide–Germanium Film Tunnel Junction Deposited by Magnetron Sputtering

Влияние давления аргона и отжига на микрокристаллическую структуру текстурированных пленок Co, осаждаемых магнетронным распылением

Microstructure and Properties of Thin-Film Submicrostructures Obtained by Rapid Thermal Treatment of Nickel Films on Silicon

Contact Info

Product

Resources

About