2017
DOI: 10.21577/0100-4042.20170174
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Fotoeletrocatálise Em Semicondutores: Dos Princípios Básicos Até Sua Conformação À Nanoescala

Abstract: PHOTOELECTROCATALYSIS ON SEMICONDUCTORS: FROM THE FUNDAMENTALS TO ITS CONFORMATION AT THE NANOSCALE LEVEL. The science of semiconductors, essential in electronics, is pivotal also for the most active research fields of environmental science and engineering today -the development of solar energy conversions and advanced oxidation processes, exemplified by the harvesting of sun daylight to produce electric energy, environmentally friendly fuels and to clean up water from harmful pollutants. The advancement of su… Show more

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“…A barreira energética envolvida na geração de transportadores, por exemplo, para a anatase (TiO 2 ), passa de 3,2 eV para cerca de 0,1 eV, inundando o semicondutor de férmions (elétrons ao tipo n ou lacunas ao tipo p), como anteriormente discutido. 20 Todavia 36 Hoje se sabe que a classificação atribuída apresenta maior relação com a diferença na velocidade de reação entre lacunas e doadores frente à velocidade de transferência dos elétrons para os aceptores do eletrólito. 37 O TiO 2 é comumente classificado como um semicondutor do tipo n porque as suas lacunas apresentam, via de regra, uma velocidade de reação com os seus doadores muito mais rápida do que os elétrons com seus aceptores, fazendo com que os elétrons sejam os transportadores acumulados.…”
Section: Traps E Os Fenômenos Quânticos Intrapartícula Envolvendo Os unclassified
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“…A barreira energética envolvida na geração de transportadores, por exemplo, para a anatase (TiO 2 ), passa de 3,2 eV para cerca de 0,1 eV, inundando o semicondutor de férmions (elétrons ao tipo n ou lacunas ao tipo p), como anteriormente discutido. 20 Todavia 36 Hoje se sabe que a classificação atribuída apresenta maior relação com a diferença na velocidade de reação entre lacunas e doadores frente à velocidade de transferência dos elétrons para os aceptores do eletrólito. 37 O TiO 2 é comumente classificado como um semicondutor do tipo n porque as suas lacunas apresentam, via de regra, uma velocidade de reação com os seus doadores muito mais rápida do que os elétrons com seus aceptores, fazendo com que os elétrons sejam os transportadores acumulados.…”
Section: Traps E Os Fenômenos Quânticos Intrapartícula Envolvendo Os unclassified
“…Todavia, os efeitos de supressão de recombinação são bastante reduzidos em traps rasos. 20,38 O tempo de relaxação para traps rasos depende da amplitude do estado ao qual o elétron foi promovido na banda de condução, e é da ordem de 200 fs para éxcitons quentes (níveis distantes da borda) e inferior a 100 fs para éxcitons frios (níveis próximos à borda). Para o caso das lacunas, tanto aquelas ocupando níveis próximos à borda da BV como as situadas em níveis mais elevados, levam menos de 100 fs para decair para um trap raso.…”
Section: Traps E Os Fenômenos Quânticos Intrapartícula Envolvendo Os unclassified
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