Gallium-oxide films obtained by thermal evaporation

Kalygina, V. M.; Zarubin, A.; Новиков, В. А.; Petrova, Yu. S.; Толбанов, О. П.; Tyazhev, A.; Tsupiy, S. Yu.; Yaskevich, T. M.

doi:10.1134/s1063782613050126

Cited by 7 publications

(2 citation statements)

References 14 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Люмінесöентні властивості тонких плівок -Ga 2 O 3 сильно залежать як від методи, так і від умов їх одержання. Для нанесення плівок -Ga 2 O 3 використовують öілий набір метод -від термічного випаровування до низькотемпературних хемічних, таких як гідротермальне, глікотермальне або електрохемічне окиснення [8][9][10][11]. В результаті плівки відрізняються за оптичними, люмінесöентними та електрофізичними властивостями внаслідок різного ступеня досконалости одержаних зразків.…”

Section: вступunclassified

Photoelectric Properties of Thin Ga2O3 Films

2018

Nanosist. Nanomater. Nanotehnol.

View full text Add to dashboard Cite

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок -Ga 2 O 3 , одержаних методою високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Виявлено наявність власної фотопровідности та її особливості, залежно від умов одержання плівок. Проведено аналізу спектрального зміщення максимуму смуги збудження фотопровідности, залежно від наявности термооброблення плівок. The structure, phase composition, and surface morphology of thin -Ga 2 O 3 films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering are investigated. The presence of intrinsic photoconductivity and its features are revealed depending on the conditions for obtaining films. The analysis of the spectral shift of the maximum of the photoconductivity excitation band as a function of the thermal treatment of films is provided. Исследована структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок -Ga 2 O 3 , полученных методом высокочастотного ионноплазменного распыления. Выявлены наличие собственной фотопроводимости и её особенности в зависимости от условий получения плёнок. Проведён анализ спектрального смещения максимума полосы возбуждения фотопроводимости в зависимости от наличия термообработки плёнок.

show abstract

Section: вступunclassified

Photoelectric Properties of Thin Ga2O3 Films

2018

Nanosist. Nanomater. Nanotehnol.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…In the general case, the optical and electrical properties of thin -Ga 2 O 3 and -Ga 2 O 3 :Cr 3 films are determined by the preparation methods, deposition modes, and subsequent technological methods. For the deposition of films based on -Ga 2 O 3 , a whole set of methods is used, from thermal evaporation to low-temperature chemical ones, such as hydrothermal, glycothermal, or electrochemical oxidation [11][12][13][14]. As a result, due to varying degrees of perfection, such films differ in optical, luminescent, and electrical properties.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Photoconductivity of Thin β-Ga2O3 and β-Ga2O3:Cr3+ Films

2023

Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii

View full text Add to dashboard Cite

The presence of photoconductivity in thin films of -Ga 2 O 3 and -Ga 2 O 3 :Cr 3 obtained by radio-frequency (RF) ion-plasma sputtering after heat treatment in air has been established. The obtained photoconductivity spectra are analysed, and it is shown that the photoconductivity in pure thin -Ga 2 O 3 films is due to intrinsic photoconductivity because of the band-gap electronic transitions. In thin -Ga 2 O 3 :Cr 3 films, in addition to this photoconductivity band, there are also three photoconductivity bands observed due to electronic transitions within the Cr 3 activator ion. At the same time, all three excited levels fall into the conduction band and lead to the appearance of U-, Y-, and V-bands of photoconductivity.Встановлено наявність фотопровідности у тонких плівках -Ga 2 O 3 та -Ga 2 O 3 :Cr 3 , яких було одержано методом високочастотного (ВЧ) йонноплазмового розпорошення після термооброблення на повітрі. Проаналізовано одержані спектри фотопровідности та показано, що у чистих тонких плівках -Ga 2 O 3 фотопровідність зумовлено власною фотопровідністю за рахунок зона-зонних електронних переходів. У тонких плівках -Ga 2 O 3 :Cr 3 , крім даної смуги фотопровідности, спостерігаються ще три смуги фотопровідности, зумовлені електронними переходами в межах йона-активатора Cr 3 . Всі три збуджені рівні попадають у зону провідности та приводять до появи U-, Y-і V-смуг фотопровідности.

show abstract