1971
DOI: 10.1002/ange.1971083221127
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Galliumarsenid‐Whiskerwachstum nach dem VLS‐Mechanismus

Abstract: Oberflache der Einkristalle erfolgte, eine Aktivierungsenergie von A H = 1.9 eV. Daraus wurde geschlossen, daB wahrscheinlich durch die Neutronen-Bestrahlung kleinere Leerstellencluster gebildet werden, die bei Temperung an der Oberfliiche abgebaut werden.Weiterhin wurde untersucht, inwiefern eine Interpretation der Entgasungskinetiken nach dem Fallenmodell[21 gestattet ist. Bisher wurde eine homogene Defekt-Konzentration angenommen, die aber wegen der Ausheilung nicht mehr vorliegt. Hierbei ergab sich, da13 d… Show more

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