Gazin1-Zpxasysb1-X-Y/Insb Heterostructures for Thermophotovoltaic Converters

Abstract

Аннотация. Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры выращены гетероструктуры GaInPAsSb/InSb для термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователей, работающих в интервале длин волн 1800-5600 nm. Использование пятикомпонентных твердых растворов GaInPAsSb в качестве активной области термофотопреобразователей позволяет повысить величину внешнего квантового выхода до 0,95 в спектральном диапазоне 2700-4700 nm.