Growth and characterization of GaInSb/GaInAsSb hole-well laser diodes emitting near 2.93μm

Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb

“…Unrelaxed Ga 1-x In x Sb epilayers grown on GaSb, or on alloys lattice-matched to GaSb, are useful for mid-infrared (MIR) emitters [1][2][3]. There has to the authors' knowledge, however, never been a systematic examination of the critical thickness (t c ) of Ga 1-x In x Sb on GaSb.…”

Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida

“…Por sus potenciales aplicaciones optoelectrónicas [1,2] como son las celdas termofotovoltaicas [3,4], fotodiodos, láseres semiconductores [5,6] y detectores, las heteroestructuras basadas en GaSb han sido objeto de estudio durante las últimas decadas y se han propuesto nuevas configuraciones con el fin de lograr una mejor eficiencia en los dispositivos b a s a d o s e n e ste m ate r i a l . Pa r t i c u l a r m e nte l a heteroestructura de GaSb/GaInAsSb/GaSb (Figura 1) sucitado un gran interés debido a que ha permitido mejorar notablemente la eficiencia cuántica de las celdas termofotovoltaicas [7,8,9,10].…”