Halbleitereigenschaften von Telluriden. XII. Grenzen der Mischkristallbildung in der festen Lösung Bi_2–xSb_xTe_3–ySe_y

Abstract

InhaltsiibersichtS m System Bi&3bxTesySe, wurden die Grenzen der Mischkristallbildung bestimmt. Fur die einphasigen Mischkristallgebiete der Teilsysteme Bj2Te,j-ySey und SbnTe:&e, wird der Gang der Gitterkonstanten angegeben.