Hall Coefficient and Magnetoresistance of Semiconductors with Anisotropic Energy Dispersion

Abstract

Hall coefficient and transverse magnetoresistance of narrow-gap semiconductors ale investigated theoretically in a wide temperature region. It is shown that in a weak magnetic field the transport coefficients exhibit non-monotonic temperature dependence and in arbitrary classical magnetic fields the transverse magnetoresistance may grow anomalously. These regularities are due to inelastic scattering of carriers by optical phonons and anisotropy of the temperature dependences of the components of the effective mass tensor. The contributions which different scattering mechanisms (those by acoustic phonons, impurity ions, and interelectron scattering) give to the transport coefficients are evaluated. I n particular, the contributions of impurity and interelectron scattering processes are shown to be negligibly small in lead chalcogenides.Der Hall-Koeffizient und der transversale Magnetowiderstand von schmalliickigen Halbleitern werden theoretisch in einem weiten Temperaturbereich untersucht. Es wird gezeigt, daB in einem schwachen Magnetfeld die Transportkoeffizienten eine nichtmonotone Temperaturabhilngigkeit zeigen und der transversale Magnetowiderstand in beliebigen klassischen Magnetfeldern anomal wachsen kann. Dieses Verhalten wird durch inelastische Streuung von Ladungstragern durch optische Phononen und die Anisotropie der Temperaturabhangigkeit der Komponenten des Tensors der effektiven Masse hervorgerufen. Die Beitrage, die verschiedene Streumechanismen (von akustischen Phononen, Storstellenionen und Interelektronenstreuung) zu den Transportkoeffizienten liefern, werden bererhnet. Insbesondere wird gezeigt, dal3 die Beitrilge der St6r-stellen-und Interelektronenstreuprozesse in Bleichalkogeniden vernachlassigbar klein sind.