Zusammenfassung
Siliciumcarbid hat eine Reihe von Eigenschaften, die denen von Diamant gleichen, wie Härte, hohe chemische, thermische und mechanische Beständigkeit sowie ähnliche optische Eigenschaften. Wie elementares Silicium ist SiC aber auch ein Halbleiter, allerdings mit größerer Bandlücke. Aus dieser Kombination ergeben sich vielfältige technische Anwendungsmöglichkeiten. Die Ähnlichkeit mit Silicium und Diamant ist auf einen gleichen strukturellen Aufbau zurückzuführen, SiC zeichnet sich aber durch eine Vielzahl von Polytypen aus. Der größte Anteil an SiC, mit technischer Qualität, wird durch das Acheson‐Verfahren hergestellt, die Reaktion von SiO2 mit Kohlenstoff. Kristalle hoher Reinheit und definierter Struktur werden durch Sublimation von Acheson‐SiC erhalten. Zur Herstellung dünner SiC‐Schichten sind CVD‐Methoden am besten geeignet; SiC‐Fasern können durch Thermolyse von Polycarbosilanen erzeugt werden.