Herstellung und kristallographische Eigenschaften von Ga_xIn_1−xP‐Epitaxieschichten

Abstract

Es wird eine Methode zur Herstellung von Ga,Inl -,P-Schichten durch Anwendung chemischer Transportreaktionen unter Verwendung einer In, Ga-Schmelze und InP als Quellen sowie HCI als Transportmittel beschrieben. Die 2-Abhangigkeit der Variationsbreite des Beugungswinkels wird als durch thermodynamische Eigenschaften des Systems InP-GaP sowie des Abscheidungsvorganges begriindet und als Inhomogenitat im Sinne einer Abweichung vom Verhalten eines idealen Mischkristalls gedeutet.OnACaH MeTOH U3rOTOBJIeHAR CJIO&B Ga,Inl -,P IlOCpeACTBOM IlpUMeHeHUH XAMU4eCKHX TpaflCllOpTHbnr PeaKUAeP, rAe HCnOJIb3yIOTCR HCl KaK TpaHCIIOpTApyIomUfi ra3 A A B a HCTOgHUKa -InP H pa3nJlaB (In, Ga). 3aBHCHMOCTb luHpMHbI PeHTreHOBCKHX nH@@paK-WOHHbIX pe@JleKCOB OT X 06%HCHseTCR TepMOHHHaMU'leCKHMH CBOBCTBBMH npOUeCCa OCaWAeHUH U CUCTeMbl InP-Gap. TaKym 3aBUCAMOCTb MOWHO PaCCMaTpUBaTb KBK HeOA-HOPOAHOCTM, rxommimquem n3-3a OTKnoHeHm OT noBeneHm EiHeaabHoro Tsepaoro pacTBopa.