High‐field magneto‐photoluminescence of semiconductor nanostructures

Hayne, Manus; Bansal, Bhavtosh

doi:10.1002/bio.2342

Cited by 23 publications

(23 citation statements)

References 111 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…29 In addition, the linewidth is expected to increase in disordered alloys. This behavior is due to the compression of the excitonic wavefunction under an increasing magnetic field, which causes the lineshape to be more susceptible to the local potential fluctuations resulting from compositional disorder.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Photoluminescence lineshape and dynamics of localized excitonic transitions in InAsP epitaxial layers

Merritt

Meeker

Magill

et al. 2014

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

The excitonic radiative transitions of InAsxP1−x (x = 0.13 and x = 0.40) alloy epitaxial layers were studied through magnetic field and temperature dependent photoluminescence and time-resolved photoluminescence spectroscopy. While the linewidth and lineshape of the exciton transition for x = 0.40 indicate the presence of alloy broadening due to random anion distribution and the existence of localized exciton states, those of x = 0.13 suggest that this type of compositional disorder is absent in x = 0.13. This localization is further supported by the behavior of the exciton transitions at low temperature and high magnetic fields. InAs0.4P0.6 exhibits anomalous “S-shaped” temperature dependence of the excition emission peak below 100 K as well as linewidth broadening at high magnetic fields due to the compression of the excitonic volume amid compositional fluctuations. Finally, photoluminescence decay patterns suggest that the excitons radiatively relax through two channels, a fast and a slow decay. While the lifetime of the fast decay is comparable for both compositions (∼30 ps), that of the slow decay increases from 206 ps to 427 ps as x increases from 0.13 to 0.40, attributable to carrier migration between the localization states of InAs0.4P0.6.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Photoluminescence lineshape and dynamics of localized excitonic transitions in InAsP epitaxial layers

Merritt

Meeker

Magill

et al. 2014

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The so-called excitonic model [36] was used to determine the exciton properties: diamagnetic shift coefficient Г, Bohr radius a B , and reduced mass μ. The model categorizes the magnetic field dependence of the PL into two regimes: low and high field.…”

Section: Experimental Details and Analysis Methodsmentioning

confidence: 99%

Exciton confinement in strain-engineered metamorphic InAs/ InxGa1–xAs quantum dots

et al. 2017

View full text Add to dashboard Cite

We report a comprehensive study of exciton confinement in self-assembled InAs quantum dots (QDs) in strain-engineered metamorphic In x Ga 1-x As confining layers on GaAs using low-temperature magnetophotoluminescence. As the lattice mismatch (strain) between QDs and confining layers (CLs) increases from 4.8% to 5.7% the reduced mass of the exciton increases, but saturates at higher mismatches. At low QD-CL mismatch there is clear evidence of spillover of the exciton wave function due to small localization energies. This is suppressed as the In content x in the CLs decreases (mismatch and localization energy increasing). The combined effects of low effective mass and wave-function spillover at high x result in a diamagnetic shift coefficient that is an order of magnitude larger than for samples where In content in the barrier is low (mismatch is high and localization energy is large). Finally, an anomalously small measured Bohr radius in samples with the highest x is attributed to a combination of thermalization due to low localization energy, and its enhancement with magnetic field, a mechanism which results in small dots in the ensemble dominating the measured Bohr radius.

show abstract

“…Одними из наиболее изученных являются КТ халькогенидов металлов. Их синтезируют в виде порошков, пленок, в растворах, вводят в состав раз-личных матриц [4][5][6][7][8][9]. Размер КТ, как правило, находится в пределах 10 nm.…”

Section: Introductionunclassified

“…Их агрегаты достигают размера десят-ков нанометров [7,10,11]. Люминесценцию КТ связывают с излучательной рекомбинацией зарядов на уровнях структурно-примесных дефектов в объеме и на поверх-ности кристаллов [3][4][5][6]. Легирование кристаллов суще-ственно изменяет их оптические свойства.…”

Section: Introductionunclassified

“…Внедрение КТ в полимерные матрицы приводит к формированию требуемой морфологии композиций. Проблема синтеза оптически прозрачных полимерных композиций, содержащих КТ группы A 2 B 6 , заключается в крайне малой растворимости халькогенидов металлов и большинства их предшественников в мономерах. Для ее решения нами применен коллоидный синтез.…”

unclassified

See 1 more Smart Citation

Люминесценция квантовых точек CdS : Ag в матрице полиметилметакрилата

Smagin¹,

Eremina²,

Скачков³

2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Поступила в редакцию 14.12.2017 г. Полупроводниковые квантовые точки (КТ) интенсивно люминесцируют и воспроизводят оптические характеристики. Легирование ионами металлов положительно влияет на их свойства. Внедрение КТ в полимерные матрицы приводит к формированию требуемой морфологии композиций. Проблема синтеза оптически прозрачных полимерных композиций, содержащих КТ группы A 2 B 6 , заключается в крайне малой растворимости халькогенидов металлов и большинства их предшественников в мономерах. Для ее решения нами применен коллоидный синтез. КТ CdS были получены методом возникающих реагентов in situ в среде метилметакрилата (ММА). Легирование ионами Ag + проведено введением в реакционную смесь соли серебра в процессе синтеза КТ CdS. Люминесцирующие полимерные " стекла" ПММА/CdS : Ag получены радикальной полимеризацией ММА в блоке. Прозрачность композиций при длинах волн > 500 nm достигает 92% (5 mm). Возбуждение люминесценции связано с межзонными переходами электронов в кристаллах CdS. Люминесценция в области 500−600 nm наблюдается при возвращении электронов через систему уровней в запрещенной зоне легированных кристаллов CdS. Положение спектральных полос и их интенсивность зависят от концентрации Ag + , размера частиц, длины волны возбуждающего излучения и других факторов. Образование структур Cd(Ag)S/Ag 2 S при концентрациях ионов Ag ВведениеНаноразмерные кристаллы полупроводников (КТ) применяются для решения важных задач в приборо-строении, биологии, экологии, медицине [1][2][3]. В связи с этим значительные усилия исследователей направлены на разработку методов синтеза КТ, их структур и компо-зиций, характеризующихся набором прогнозируемых оп-тических характеристик. Одними из наиболее изученных являются КТ халькогенидов металлов. Их синтезируют в виде порошков, пленок, в растворах, вводят в состав раз-личных матриц [4][5][6][7][8][9]. Размер КТ, как правило, находится в пределах 10 nm. Их агрегаты достигают размера десят-ков нанометров [7,10,11]. Люминесценцию КТ связывают с излучательной рекомбинацией зарядов на уровнях структурно-примесных дефектов в объеме и на поверх-ности кристаллов [3][4][5][6]. Легирование кристаллов суще-ственно изменяет их оптические свойства. В качестве легирующих элементов применяются медь, марганец, хром, свинец, лантаноиды [1,[11][12][13][14][15][16][17][18][19]. Кроме перечислен-ных, привлекает внимание серебро и его соли. Так, суль-фид серебра относится к узкозонным полупроводникам с шириной запрещенной зоны 0.9−1.1 eV. Его применяют в фотогальванических элементах, фотохимических ячей-ках, ИК детекторах, в светопреобразующих компози-циях [20][21][22]. Легирование КТ полупроводников группы A 2 B 6 ионами серебра неизбежно приведет к изменению энергетической диаграммы полупроводниковых струк-тур и окажет влияние на направление потоков энергии в процессе дезактивации возбужденных состояний. Важной задачей, которую приходится решать в про-цессе синтеза, является сохранение устойчивости КТ и связанной с ней стабильности оптических характери-стик. Одним из ее решений является вне...

show abstract

High‐field magneto‐photoluminescence of semiconductor nanostructures

Cited by 23 publications

References 111 publications

Photoluminescence lineshape and dynamics of localized excitonic transitions in InAsP epitaxial layers

Photoluminescence lineshape and dynamics of localized excitonic transitions in InAsP epitaxial layers

Exciton confinement in strain-engineered metamorphic InAs/ InxGa1–xAs quantum dots

Люминесценция квантовых точек CdS : Ag в матрице полиметилметакрилата

Contact Info

Product

Resources

About