High-frequency dependence of channel noise in short-channel RF MOSFETs

Abstract

Using a two-dimensional (2-D) Green's function technique, similar to Shockley's impedance field technique, simulation results of the drain i d and gate induced i g channel noise are presented for an nMOS transistor as a function of frequency. The simulation results show that for frequencies much lower than the cutoff frequency of the transistor ft the correlation factor (i.e., i g i 3 d = i 2 g i 2 d ) between the drain and gate channel noise is equal to approximately 0.4j: For frequencies near the ft of the device the correlation factor approximately equals 0.3j: For f =ft 0:3; the contribution of the gate induced noise compared to the drain noise was found to be on the order of 1% (i.e., i 2 g =i 2 d (ft=f ) 2 ): Index Terms-High frequency noise, MOSFET, RF MOS.

Simplified Surface Reaction Model of SF6/CHF3Plasma Etching of SiN Film

“…It has been demonstrated that this method can be successfully used to predict noise in practical semiconductor devices. [11][12][13][14] It has also been shown [12][13][14] that conventional expression for the channel noise fails for short channel MOSFETs indicating that the nature of carrier transport and noise changes for short-channel MOSFETs.…”

Φαινόμενα Θορύβου Σε Μικροηλεκτρονικές Υπομικρονικές Διατάξεις Και Κυκλώματα Τηλεπικοινωνιακών Και Οπτικών Εφαρμογών

“…Ο επαγόµενος θόρυβος πύλης είναι αµελητέος για µεγάλα ως και σχετικά µικρά στοιχεία αλλά µπορεί να γίνει σηµαντικός όταν οι διαστάσεις µικραίνουν σηµαντικά και η συχνότητα λειτουργίας είναι της τάξης των δεκάδων GHz. Μία έκφραση που περιγράφει την συγκεκριµένη πηγή θορύβου για υποµικρονικά στοιχεία έχει δοθεί [TRIANT97], ενώ τα ίδια ποσοτικά αποτελέσµατα µπορούν να βρεθούν αν προσεγγισθεί το ίδιο πρόβληµα µε συναρτήσεις Green [MANKU99γ].…”