High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm

Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров

“…Задача разработки твердотельных ключей, способных переключать высокие токи, является актуальной для создания мощных импульсных источников излучения на основе полупроводниковых лазеров [1][2][3][4][5]. Поскольку полупроводниковые лазеры обладают низким омическим сопротивлением, значение которого может составлять десятки мОм, то падение напряжения на низкоомной нагрузке не превышает единиц В даже в условиях, когда требуемые амплитуды формируемых импульсов достигают значений десятков и сотен А. В этом случае отсутствует необходимость использования высоковольтных ключей.…”

“…По этой причине конструкции ключей должны реализовывать условия для компактного размещения в контуре с полупроводниковыми лазерами. В общем случае можно выделить два подхода: (1) основан на ключах, замыкающих токовую цепь с источником запасенной энергии в виде конденсатора (токовые ключи транзисторного или тиристорного типа) [1][2][3][4][5], (2) основан на устройствах, размыкающих токовую цепь с источником запасенной энергии в виде индуктивного элемента [6]. В настоящее время наибольшее распространение получили полевые транзисторы.…”

“…В первую очередь это связано с доступностью, обусловленной широкой распространенностью для решения задач в области силовой и СВЧ радиоэлектроники. Они позволяют создавать условия для накачки полупроводниковых лазеров импульсами тока амплитудой до сотен А и длительностью до 10 нс [5], для эффективной работы таких систем требуются дополнительные специализированные быстродействующие драйверы, которые обеспечивают условия быстрого включения и выключения сильноточных полевых транзисторов. Несмотря на это, возможна компактная реализация подобных схем общей площадью несколько см 2 .…”