HTS Film Growth

Abstract

The sections in this article are Materials Thermodynamic Issues Epitaxy Film Growth Methods Sputtering Laser Ablation Evaporation and Molecular Beam Epitaxy Concluding Remarks

Дослідження Резонансних Властивостей Перемикаючих Пристроїв На Основі Високотемпературного Надпровідника

“…Таким чином, при використанні плівок мікрополоскових надпровідників отримуємо як високий рівень добротності резонаторів (11), так і високі значення параметра якості (К) ключових елементів в усьому НВЧ діапазоні.…”

“…Комплексне дослідження електрофізичних характеристик ВТНП плівок, насамперед, НВЧ поверхневого опору в різних станах [11] (енергетичні, часові характеристики процесу S→N перемикання) з однієї сторони та результати проведених досліджень з іншої дозволяють зробити висновок про можливість реалізації в діапазоні частот 1 ГГц до 10 ГГц ФО та ФВ на основі ВТНП. Найбільш важливі параметри якості перемикання ФО та ФВ на основі надпровідників перевищують відповідні параметри аналогічних приладів у системі електромагнітного захисту приймальних систем, побудованих на основі напівпровідника, а саме: швидкість перемикання надпровідних ФО та ФВ складає одиниць наносекунд, S→N перемикання надпровідника дозволяє забезпечувати перепад послаблень НВЧ сигналу з 0,1 дБ до 20 дБ, параметр переключення ключа К має значення декілька сотень.…”