Impact of Carbon on Properties of Metal–Semiconductor Contact

Abstract

У роботі розглянуто вплив домішки Карбону, внесеної у наноплівку заліза, на електричні властивості системи метал-напівпровідник. Об'єктами дослідження є зразки на напівпровідникових підложжях p-та n-типів з 16-ти контактів діаметром 2 мм і товщиною до 100 нм, вісім з яких з чистого заліза і вісім із заліза, леґованого Карбоном. Показано, що при леґуванні заліза Карбоном на підложжі n-типу виникає випрямний контакт типу діода Шотткі, що пов'язано зі збільшенням роботи виходу з металу. Розраховано висоту потенціального бар'єра, що виникає за рахунок такого збільшення роботи виходу. Одержані у ході розрахунку результати пояснюють появу області з негативним диференціальним опором на вольтамперних характеристиках системи Fe\MgO\Fe при леґуванні одного шару феромагнетика Карбоном.