Impact of the H2 anneal on the structural and optical properties of thin and thick Ge layers on Si; Low temperature surface passivation of Ge by Si

Structural, electrical and optical properties of in-situ phosphorous-doped Ge layers

“…The other one, at 33.11, is most likely coming from the 0.21-0.25 mm thick heavily phosphorous-doped Ge layer on top ([P]¼3.6 Â 10 20 cm À 3 ). The asymmetry of the Ge (main) peak is to be noticed: the high incidence angle component is indeed due to the interfacial GeSi alloy formed during the short duration thermal cycling [16].…”

“…The overall thickness of our intrinsic Ge and Ge:B layers were 1.28 mm and 1.16 mm, respectively. Short duration 750 1C/890 1C H 2 thermal cycling was used afterwards in order to reduce threading defect densities while keeping smooth surfaces and minimizing Si out-diffusion into the Ge or Ge:B layers [16].…”

“…Those $1.5 mm thick Ge layers are slightly tensilystrained, with R values in the 104.6%-104.8% range, very much in agreement with Refs. [12], [14][15][16]. This is due to differences in thermal expansion coefficients between Ge and Si that come into play during the wafers' cooling-down to room temperature [14].…”

“…Typical 20 Â 20 mm AFM images can be found in have the presence of a surface cross-hatch along the /110S crystallographic directions (due to the propagation of threading dislocations on {111} planes) on top of large hills [12], [14][15][16]. These hills are characterized by the presence on their sides of rather large terraces bordered by bi-atomic steps ($ 3Å high).…”

Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

“…Сравнение образцов со слоями Ge одинаковой толщины, выращенных на отклоненных и неотклоненных подлож-ках Si, не выявило существенных различий в значениях плотности прорастающих дислокаций. Кроме того, при выбранных условиях отжига (и толщине слоя Ge) про-цесс диффузии Si из подложки практически не затраги-вает верхний, приповерхностный слой Ge, на котором впоследствии осуществляется рост слоев A III B V [16]. Высокое качество получаемых виртуальных подложек Ge/Si также подтверждается данными рентгеновской дифракции, согласно которым слои Ge характеризуются малой шириной кривой качания (∼ 0.05…”