Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals

Abstract

The optical properties of AgGaGe3Se8 single crystals doped with Cu, In, and Sn atoms have been studied. A physical model is proposed for those compounds, which are wide-gap semiconductors (≈ 2.09-2.15 eV at = 300 K) with the-type conductivity, and whose optical parameters depend on the dopant nature and concentration. On the basis of this model and making allowance for specific features of disordered systems, the obtained experimental results are explained. K e y w o r d s: chalcogenide crystals, optical properties, Urbach energy.

Optical Absorption and Piezoelectric Effect Investigation in Single Crystal of AgGaGe3Se7.6Te0.4 Solid Solution

“…Оцiнена, за значенням енергiї кванта свiтла в областi краю поглинання для α ~ 210 см -11 м) [13,14]. При зміні температури від 100 до 300 К ширина забороненої зони практично лінійно зменшується (рис.…”

“…Розрахований температурний коефiцiєнт зміни ширини забороненої зони має негативний знак, що дозволяє припустити, що внесок електрон-фотонної взаємодiї при збiльшеннi температури бiльший, нiж внесок від теплового розширення решітки [14]. Дане значення β є характерним для більшості сильно дефектних халькогенідних напівпровідників [15].…”