“…钡钨阴极的发射机理目前存在半导体模型 [19] 、超额钡理论 [20] 、钡氧偶极子层理论,根据 我们前期的研究成果 [21] ,认为阴极表面存在 Ba-O 偶极子,其吸附在钨上来降低功函数,但未 对其物理本质进行探讨。 根据金属的索末菲模型,在内部,最外层电子处于等势场中自由运动形成电子云,但在晶 体表面,晶格周期被破坏,表面附近的电子试图逃出,但受到正离子的吸引,会在表面形成电 子云层,与正离子层形成偶电层 (Electric double layer),厚度为 x 0 ,如图 9(a)所示,因此电子…”