Для дослiдження ефектiв, що виникають пiд дiєю одновiсних тискiв, використано модифiковану модель GPI шляхом врахування п'єзоелектричного зв'язку структурних елементiв, якi впорядковуються, з деформацiями εi, εj. В наближеннi двочастинкового кластера розраховано вектори поляризацiї та компоненти тензора статичної дiелектричної проникностi механiчно затиснутого i вiльного кристалiв, їх п'єзоелектричнi характеристики. Дослiджено вплив одновiсних тискiв на фазовий перехiд та фiзичнi характеристики GPI1−xDGPIx. Отримано добрий кiлькiсний опис вiдповiдних експериментальних даних для цих кристалiв.Ключовi слова: сеґнетоелектрики, фазовий перехiд, дiелектрична проникнiсть, п'єзомодулi, одновiснi тиски.