Injected Light Emission of Silicon Carbide Crystals

Электролюминесценция

“…Леховец с сотрудниками 4 предположили, что электролюминесценция является результатом пзлучательной рекомбинации носителей заряда, проникающих сквозь барьерный слой.…”

“…Если электрический потенциал ν принять равным нулю на дне полосы прово-димости внутри полупроводника и обозначить расстояние внутрь полу-проводника через х, то (4,2) где eF 0 =(<p m -χ). Напряженность электрического поля Если q> m не больше нескольких кТ и меньше чем х-\-ъ д и полупроводник гс-типа, то уровень Ферми приближается к валентной зоне вблизи поверх-ности (рис.…”

“…Для того чтобы набрать необходимую энергию, ому необходимо совершить пробег на участке длиной I без рассеяния. В этом случае соотношение между ε и I будет: (4,14) Вероятность более длинного чем I пробега можно получить из формулы t = β λ (4,15) где λ-средняя длина свободного пробега. Поэтому вероятность для электрона набрать необходимую"^ энергию равна p==e -ik, (4,16) Развивая представления об ускорительном механизме возбуждения электролюминесценции, можно объяснить отсутствие катастрофических последствий пробоя, предположив неоднородное распределение электри-ческого поля в кристалле.…”

“…В этом случае соотношение между ε и I будет: (4,14) Вероятность более длинного чем I пробега можно получить из формулы t = β λ (4,15) где λ-средняя длина свободного пробега. Поэтому вероятность для электрона набрать необходимую"^ энергию равна p==e -ik, (4,16) Развивая представления об ускорительном механизме возбуждения электролюминесценции, можно объяснить отсутствие катастрофических последствий пробоя, предположив неоднородное распределение электри-ческого поля в кристалле. Иначе говоря, так как этот механизм осущест-вляется при напряженностях поля, приближающихся или равных напря-женностям, вызывающим пробой, необходимо, чтобы распределение элек-трического поля имело форму, ограничивающую возможность пробоя.…”

“…(^) (8,4) Залм с сотрудниками 146 · 147 пришли к выводу, что уравнение (8,4), в кото-ром η приблизительно равно нулю, хорошо согласуется с различными дан-ными, полученными на сульфиде цинка. Они сохранили представление о барьере опустошения Мотта-Шоттки, но отнесли экспоненциальный член к проникновению носителей заряда от поверхностного слоя меди сквозь барьер.…”