Es wird gezeigt, dass reaktives Magnetronsputtern geeignet ist, um elektronisch hochwertige CuInS2‐Solarzellen‐Absorberschichten herzustellen. Hierbei können die Schichten mit einer kompakten Morphologie und Korngrößen im Mikrometerbereich bei Substrattemperaturen unter 500 °C mit Hilfe von metallischen Targets abgeschieden werden. Die mit diesem Prozess hergestellten Schichten besitzen vergleichbare strukturelle und elektronische Eigenschaften, wie CuInS2‐Schichten die in einem 2‐Stufen‐Sulfurisierungsprozess präpariert werden, welcher zur Zeit kommerzialisiert wird. Insbesondere lassen sich für die reaktiv gesputterten Schichten Ladungsträger‐Diffusionslängen von der Größenordnung der Schichtdicke (≈ 2μm) nachweisen. Dies resultiert in Solarzellen mit Wirkungsgraden größer 10 %, vergleichbar mit den besten Wirkungsgraden von CuInS2‐Solarzellen aus anderen Beschichtungsprozessen. Diese Ergebnisse sind vielversprechend im Hinblick auf die Entwicklung des Magnetronsputterns als Großflächenbeschichtungsverfahren für Absorberschichten in Dünnschicht‐Solarzellen.