Instituciones y desarrollo económico: teoría, políticas e historia

Abstract

Este artículo busca avanzar en nuestro entendimiento del institucionalismo económico, examinando críticamente el actual discurso dominante sobre la relación entre instituciones y desarrollo económico. Primero, sostendré que el discurso sufre de un conjunto de problemas teóricos su rechazo a la línea de causalidad desde desarrollo a instituciones, su incapacidad de ver la imposibilidad del libre mercado, y su creencia de que el mercado más libre y con más fuerte protección a los derechos de propiedad privada es el mejor camino para el desarrollo económico. Segundo, propongo que la supuesta evidencia que muestra la superioridad de las instituciones liberales depende demasiado de estudios econométricos transversales, que sufren de conceptos defectuosos, medidas erróneas y muestras heterogéneas. Finalmente, sostengo que el discurso actualmente dominante sobre instituciones y desarrollo tiene un pobre entendimiento del cambio institucional mismo, lo que lo lleva usualmente a tener un optimismo indebido o unas posiciones pesimistas sobre la viabilidad de reformas institucionales.

Novel wide bandgap semiconductor material based on ternary carbides - An investigation into Al4SiC4

“…The higher the transconductance the better the performance of a device. In all cases, the maximum transconductance that has been observed is much smaller that for a AlGaN/GaN HEMT which sees values of 120 mS/mm [14] compared to our best result, which is in the 1 µm gate device at a drain bias of 30 V, which shows highs of 0.6.51 µS/µm.…”

“…At a large drain voltage of 40 V, a drain current saturation appears at 1.68£10 °4 A/µm, 2.44£10 °4 A/µm, and 3.50 £ 10 °4 A/µm for gate lengths of 5 µm, 2 µm, and 1 µm, respectively. In all cases, the maximum transconductance that has been observed is much smaller than that for AlGaN/GaN HEMTs which sees values like 120 mS/mm [14] compared to the lows of only 0.319 µS/µm in our SiC/Al 4 SiC 4 HEMT.…”

“…If Al 4 SiC 4 devices could achieve a larger transconductance in comparison to, for instance, a AlGaN/GaN HEMT which can achieve a transconductance of 120 mS/mm [14], it could provide new devices for RF electronics that work at high temperatures and in harsh environments.…”

“…This means that as the gate dimension become smaller, the smaller the capacitance and thus faster switching. The decline of the transconductance in the 1 µm gate length transistor at the high drain bias of 30 V is caused by a kink at around 13 V at a drain bias of 30 V detectable in the scaling, as this is common practice [13,14,137], on the 2.0 µm gate length heterostructure, where we increased the gate-to-drain spacer to 2.5 µm in order to re-distribute high electric field occurring between the gate and the drain along the longer distance and thus lower the field when transistor architecture is scaled laterally from a gate length of 5 µm gate to 2 µm and 1 µm. The rest of device sizes stayed the same as per Table 5.1.…”

El Paran Pan Pan “Fin de la Pobreza” en Cartagena de Indias, periodo 2012-2019

“…Hay una relación estrecha entre las instituciones políticas y desarrollo económico, pero la relación de causalidad entre ambas variables es debatible y cambiante a lo largo del tiempo, si bien los efectos cruzados no son favorables cuando el eje central (tanto de las instituciones como del desarrollo) no son las personas, la comunidad (Chang, 2015). Al margen de este debate, el crecimiento económico de los últimos años no se ha traducido en una mejora de la calidad institucional ni, sobre todo, del bienestar para la mayoría de la población.…”