Intersubband transitions in strained Si/Si1−xGex/Si quantum wells

Οπτικές Ιδιότητες Και Ιδιότητες Μεταφοράς Κβαντικών Συρμάτων Σχήματος V

“…Qarakthristik anafèroume ìti (i) H leitourgÐa tou sumbatikoÔ QW lèizer problèpetai jewrhtik na eni-sqÔetai shmantik an h energìc perioq (active layer) antikajÐstatai apì èna QWR. ( [38], [39]) (ii) GnwrÐzoume ìti stouc QWs fwtoaniqneutèc mporeÐ na uprxei diazwnik metbash mìno ìtan h prospÐptousa aktinobolÐa èqei sunist¸sa hlektrikoÔ pedÐou parllhla me th dieÔjunsh anptuxhc en¸h anÐqneush eÐnai apagoreutik gia kjeth prìsptwsh [11]. Sta QWRs h Ôparxh entopismoÔ se mÐa epiplèon dieÔjunsh kajist dunat th diazwnik metbash akìma kai gia kjeth prìsptwsh.…”

“…Sto Sq ma 4.2B parousizoume thn E el kai to posostì twn eswterik¸n shmeÐwn sunart sei tou n ext , ìpou to n ext paÐrnei timèc sto disthma [2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12] (gia n ext = 12 eÐmaste kont sthn omoiìmorfh diamèrish). To posostì autì ekfrzetai apì th sqèsh n int ×(n int +1)/2 n tot , ìpou n int eÐnai o arijmìc twn eswterik¸n shmeÐwn se kje pleur tou trig¸nou.…”

“…H epitaxÐa tshc apoteleÐ mÐa apì tic shmantikèc teqnikèc anptuxhc èqontac mesh epÐdrash stic hlektronikèc kai optohlektronikèc idiìthtec. Parllhla mporeÐ na odhg sei se rsh tou ekfulismoÔ twn zwn¸n en kai ìpou aut parathreÐtai [11]. Me ton trìpo autì h tsh apoteleÐ mÐa rujmistik parmetro sth tropopoÐhsh thc dom c zwn¸n.…”