Intrinsic Luminescence of RbI and KI at 10°K

Ramamurti, J.; Teegarden, Kenneth J.

doi:10.1103/physrev.145.698

Cited by 102 publications

(10 citation statements)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…On the basis of the results of Ramamurti and Teegarden (1966) and of Ikezawa and Kojima (1969) it may reasonably be supposed that the uv stimulated emission has the same spectrum as the x-ray induced emission except for excitation near the absorption edge when an extra emission band appears in some crystals, notably the bromides and KI. Checks with filters confirmed the supposition, but we made no detailed measurements of emission spectra as a function of emission wavelength.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 90%

“…Excitation spectra near the band edge (Ramamurti andTeegarden 1966, Ikezawa andKojima 1969) show very strong quenching of recombination luminescence by excitons, which is probably due to the surface effect studied recently in NaI by Emkey, Meyers and Van Scriver (to be published). A review of the STE in the context of other point defects in solids is given by Kabler (1972).…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 77%

See 1 more Smart Citation

The distribution of the eigenvalues of differential operators in large domains

Козлов¹

1982

Russ. Math. Surv.

View full text Add to dashboard Cite

The excitation spectra for intrinsic luminescence due to recombination of selftrapped excitons at liquid helium temperature have been measured in NaC1, NaBr, RbCl and RbBr. The observed sequence of thresholds is explained in terms of multi-exciton production processes involving both valence and core excitons. Results are compared with published optical and photoelectron data and found to be in reasonable accord.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 90%

Section: Introductionmentioning

confidence: 77%

The distribution of the eigenvalues of differential operators in large domains

Козлов¹

1982

Russ. Math. Surv.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…This is of the right magnitude since, in practice, e 2 /2 is about 0.18 at 22.2 eV. 23 culation, if one is to attempt to relate the results of the calculation to the existing spectral data. The necessity of including spin-orbit corrections in the alkali iodides is obvious, because their magnitude is of the order of 1 eV.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 92%

“…The results of these interpretations have proved somewhat controversial, 3,7 and this points out the need for more study of the band structure of the alkali halides. Even for substances such as the alkali chlorides, where the spin-orbit splittings are small, one should include these effects in a band-structure cal-In considering plasma oscillations in metals, both Wolff 23 and Kanazawa 24 derive an expression governing the half-width for the resonance in the form hT/hco p =nk.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Calculation of the Spin-Orbit Parameters for the Valence Bands of the fcc Alkali Chlorides, Alkali Bromides, and Alkali Iodides

Kunz¹

1967

Phys. Rev.

View full text Add to dashboard Cite

“…Оказалось, что при рекомбинации V k -центров с элек-тронами в ЩГК возникает характерная широкополос-ная рекомбинационная люминесценция [21,22], которая возбуждается и при прямом оптическом создании экси-тонов [23][24][25]. Это свечение и было интерпретировано как люминесценция АЛЭ, представляющих собой свя-занную пару " e + V k ".…”

Section: международная школа-семинар "unclassified

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Лущик¹,

Лущик²

2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Дан обзор проявлениям существования свободных анионных экситонов, процессов их автолокализации и сосуществования подвижных и автолокализованных экситонов (АЛЭ) в широкощелевых щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Рассмотрены излучательный канал распада анионных экситонов с люминесценцией, а также особый тип безызлучательного канала -с рождением элементарных дефектов Френкеля (ДФ). Проанализированы критерии эффективности этого канала дефектообразования, возможные механизмы распада АЛЭ с рождением нейтральных и заряженных анионных ДФ, а также процессы размножения электронных возбуждений в ЩГК. Особое внимание уделено процессам распада катионных экситонов, в частности и с точки зрения возможности низкотемпературного создания элементарных ДФ в катионной подрешетке ЩГК. ВведениеПосле создания квантовомеханической теории твердо-го тела существенный прогресс в понимании физических явлений в кристаллических системах был связан с вве-дением концепции элементарных возбуждений. Наряду с фононами, электронами проводимости и зонными дырками к числу элементарных возбуждений (квазича-стиц) относятся и подвижные бестоковые собственные электронные возбуждения (ЭВ) -экситоны малого и большого радиусов, идею существования которых предложил Френкель [1-2].Экситоны большого радиуса, теоретически рассмот-ренные Ванье [3], были впервые обнаружены Гроссoм с сотрудниками в узкощелевой полупроводниковой си-стеме Cu 2 O [4,5]. На длинноволновом краю спектра фундаментального (собственного) поглощения была за-регистрирована водородоподобная серия узких линий, укладывающаяся в рамки модели Ванье для экситонов большого радиуса. В дальнейшем школой Гросса были обнаружены смещение экситонных полос поглощения при инверсии магнитного поля и эффект продольно по-перечного расщепления, подтверждающие когерентный характер движения экситонов в полупроводниках (см., например, [6]).В данном кратком обзоре мы рассмотрим экситонные процессы в широкощелевых щелочно-галоидных кри-сталлах (ЩГК) с кубической кристаллической струк-турой и преимущественно ионным характером связи. Экситоны в ШГК имеют малый радиус, сопоставимый с постоянной решетки. Учитывая наличие нескольких обзоров и монографий, посвященных детальному ана-лизу экспериментальных данных об экситонных про-цессах в ЩГК [7][8][9][10], мы ограничимся лишь кратким описанием проявления свободных и автолокализованных экситонов (СЭ и АЛЭ) в спектрах ЩГК. В последующих разделах внимание будет сконцентрировано на особом каналe безызлучательной аннигиляции АЛЭ с рожде-нием структурных, точечных дефектов кристаллической решетки ЩГК. Причем, наряду с прямым оптическим созданием экситонов, мы рассмотрим и случай создания вторичных экситонов в процессе размножения ЭВ. От-метим, что все вышеперечисленные процессы касаются анионных экситонов -оптических ЭВ, затрагивающих валентные электроны внешней оболочки ионов галоида. В заключительном разделе статьи будет рассмотрена " судьба" катионных экситонов, образующихся при фо-товозбуждении внешних электронов катиона. Энергия создания катионных экситонов в ЩГК варьир...

show abstract

Intrinsic Luminescence of RbI and KI at 10°K

Cited by 102 publications

References 10 publications

The distribution of the eigenvalues of differential operators in large domains

The distribution of the eigenvalues of differential operators in large domains

Calculation of the Spin-Orbit Parameters for the Valence Bands of the fcc Alkali Chlorides, Alkali Bromides, and Alkali Iodides

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Contact Info

Product

Resources

About