2019
DOI: 10.1073/pnas.1911505116
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Kinetics and mechanism of planar nanowire growth

Abstract: Surface-guided growth of planar nanowires offers the possibility to control their position, direction, length, and crystallographic orientation and to enable their large-scale integration into practical devices. However, understanding of and control over planar nanowire growth are still limited. Here, we study theoretically and experimentally the growth kinetics of surface-guided planar nanowires. We present a model that considers different kinetic pathways of material transport into the planar nanowires. Two … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

6
36
0
8

Year Published

2020
2020
2024
2024

Publication Types

Select...
6

Relationship

1
5

Authors

Journals

citations
Cited by 33 publications
(50 citation statements)
references
References 60 publications
6
36
0
8
Order By: Relevance
“…Практические приложения наногетероструктур на основе ННК, в том числе совмещенных с кремниевой электронной платформой, в ряде случаев осложняются их вертикальной геометрией, что вызывает сложности при изготовлении верхнего контакта и другие проблемы. Поэтому большой интерес представляют планарные ННК, выращиваемые на поверхности подложки [5][6][7][8][9][10][11][12]. Системы полупроводниковых материалов, в которых были синтезированы планарные ННК на различных поверхностях, включают Si [5], соединения III−V [6,7], III-N [8], II−VI [9][10][11] и оксиды [12].…”
unclassified
See 4 more Smart Citations
“…Практические приложения наногетероструктур на основе ННК, в том числе совмещенных с кремниевой электронной платформой, в ряде случаев осложняются их вертикальной геометрией, что вызывает сложности при изготовлении верхнего контакта и другие проблемы. Поэтому большой интерес представляют планарные ННК, выращиваемые на поверхности подложки [5][6][7][8][9][10][11][12]. Системы полупроводниковых материалов, в которых были синтезированы планарные ННК на различных поверхностях, включают Si [5], соединения III−V [6,7], III-N [8], II−VI [9][10][11] и оксиды [12].…”
unclassified
“…Поэтому большой интерес представляют планарные ННК, выращиваемые на поверхности подложки [5][6][7][8][9][10][11][12]. Системы полупроводниковых материалов, в которых были синтезированы планарные ННК на различных поверхностях, включают Si [5], соединения III−V [6,7], III-N [8], II−VI [9][10][11] и оксиды [12]. В работах [11,13,14] была предпринята попытка обобщения известных из теории роста вертикальных ННК моделей на случай планарного роста.…”
unclassified
See 3 more Smart Citations