Ladungsträger‐Tiefenprofilierung an ultra‐flachen pn‐Übergängen

Abstract

Die Stufenweise Oxidationsprofilierung (SWOP) wurde zur Ladungsträger‐tiefenprofilierung an Bor‐implantierten Silizium eingesetzt. Das Messverfahren basiert auf einer alternierenden elektrischen Messung des Schichtwiderstandes mit van‐der‐Pauw (VDP)‐Strukturen zwischen jeweils einem Si‐Schichtabtrag durch elektrochemische anodische Oxidation. Es konnte gezeigt werden, dass die SWOP‐Profile sehr gut mit SIMS‐Referenzprofilen übereinstimmen und eine Tiefenauflösung von ≤ 1 nm sowie eine Nachweisgrenze 1·1016 cm−3 erreicht werden.