Large <i>g</i>-factor enhancement in high-mobility InAs/AlSb quantum wells

Sadofyev, Yu. G.; Ramamoorthy, Ayyalusamy; Naser, Ban A.; Bird, J. P.; Johnson, Shane; Zhang, Yong-Hang

doi:10.1063/1.1504882

Cited by 54 publications

(19 citation statements)

References 19 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…At the lowest density p = 1.4×10 10 cm −2 , g p is as large as ∼ 28. Enhancement of g p with decreasing density has been observed in other material systems and can be attributed to an interaction effect [21,22]. We previously observed a quantum Hall ferromagnetic transition at p = 2.4 × 10 10 cm −2 and concluded that at this density the cyclotron gap equals the Zeeman gap [5].…”

mentioning

confidence: 99%

Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well

Harris

Huang

et al. 2017

Applied Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

mentioning

confidence: 99%

Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well

Harris

Huang

et al. 2017

Applied Physics Letters

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…They also note that despite the large g-factor enhancement in InAs QWs, the contribution of Zeeman spliting is much smaller than the splitting caused by the Rashba mechanism at low magnetic fields. Prior work reveals g-factors as large as À60 [11] for these materials at high magnetic fields. We Fig.…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

Infrared light-induced beating of Shubnikov–de Haas oscillations in MBE grown InAs/AlSb quantum wells

Sadofyev

Ramamoorthy

Bird

et al. 2005

Journal of Crystal Growth

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

“…c [16]). Поверх бу-ферного слоя выращивалась 10-периодная " сглажи-вающая" сверхрешетка AlSb (2.5 нм)/GaSb (2.5 нм) при 480…”

Section: экспериментunclassified

“…таблицу). Ис-пользовались технологические приемы, обеспечивающие формирование на гетерограницах GaSb/InAs и AlSb/InAs связей In−Sb [14,16].…”

Section: экспериментunclassified

Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

Криштопенко

Иконников²,

Маремьянин³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs. ВведениеДо недавнего времени графен был единственной двумерной (2D) системой с энергетическим спектром безмассовых дираковских фермионов в двух неэквива-лентных долинах, что является следствием симметрии графеновой решетки [1]. В настоящее время помимо гра-фена существует два типа систем, в которых возможна реализация однодолинных 2D безмассовых фермионов: поверхности трехмерных топологических изоляторов (ТИ) [2,3] и квантовые ямы (КЯ) на основе полупровод-ников с инвертированным зонным спектром. Несмотря на то что существование состояния трехмерного ТИ предсказано в довольно большом количестве матери-алов [2,3], целый ряд свойств однодолинных 2D без-массовых фермионов на поверхности таких материалов обнаружить пока не удалось. Последнее обстоятельство связано со сложностью разделения вкладов в электрон-ный транспорт и магнитопоглощение от объемных и поверхностных состояний. В структурах с КЯ указанная проблема отсутствует.В работах [4][5][6][7] было показано, что в КЯ HgTe/CdHgTe, толщина которых близка к критической d c ≈ 6.3 нм (для доли Cd в барьере 0.7), соответству-ющей переходу от прямого спектра к инвертирован-ному, реализуется система бесщелевых однодолинных 2D дираковских фермионов. При ширине КЯ d > d c зонный спектр является инвертированным, т. е. нижняя электроноподобная подзона E1 лежит ниже верхней дырочноподобной подзоны HH1. В свою очередь, это приводит к возникновению состояния 2D ТИ [6,7] в системе, при котором на краях образца возникают проводящие краевые состояния с линейным законом дисперсии.В данной работе мы сообщаем об обнаружении и исследовании циклотронного резонанса (ЦР) безмассо-вых 2D дираковских фермионов в " трехслойных" КЯ InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Ранее в " двухслойных" гетероструктурах с КЯ InAs/GaSb было также предсказано теоретически [8], а затем обнару-жено экспериментально состояние 2D топологическо-го изолятора [9]. Главным отличием двухслойных КЯ InAs/GaSb от КЯ HgTe/CdHgTe является пересечение подзон E1 и HH1 в точке k = 0 [8]. Отметим, что возможность перехода от прямой зонной структуры при изменении толщин слоев к инвертированной в КЯ на основе InAs/GaSb появляется благодаря уни-кальному взаимному расположению краев валентной зоны GaSb и зоны проводимости InAs на гетерогранице InAs−GaSb.В настоящей работе выполнены теоретические ис-следования перехода от прямой к инвертированной зонной структуре в трехслойных КЯ I...

show abstract

Large g-factor enhancement in high-mobility InAs/AlSb quantum wells

Abstract: Articles you may be interested inThe effective g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0. Transport and quantum electron mobility in the modulation Si δ-doped pseudomorphic GaAs/In 0.2 Ga 0.8 As/Al 0.2 Ga 0.8 As quantum well grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Cited by 54 publications

References 19 publications

Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well

Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well

Infrared light-induced beating of Shubnikov–de Haas oscillations in MBE grown InAs/AlSb quantum wells

Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

Contact Info

Product

Resources

About