Laser manipulation of clusters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semi-conductors

Predicting reliability of structures GaP-SnO2 on the based of 3D model of their surface

“…Це приводить до виникнення похибки реєстрації вимірюваної величини та необхідності корекції параметрів вимірювального каналу. Окрім реструктуризації структурних і домішкових дефектів та впливу термопружних напруг [3,4], однією з найбільш поширених причин деградації сенсорів як у природних умовах, так і при дії потужних потоків електромагнітного випромінювання є руйнування струмовідвідних контактів та доріжок.…”

Epitaxial structures on the base of Cd1-xZnxSb and laser optimization of their properties

“…Монокристаллы CdSb и ZnSb применяются в оптоэлектронике, в термоэлектричестве, в сенсорной электронике. В данной работе поставлена задача получить жидкофазной эпитаксией слои CdSb, легированные примесями Te, In, Ga, на подложках из Cd 1-x Zn x Sb и провести лазерную коррекцию их структуры с целью оптимизации барьерных свойств эпитаксиальных элементов [6].…”

“…Кандидат физико-математических наук, доцент* E -mail: taimasi@mail.ru Для наращивания легированных слоев CdSb n-типа в раствор-расплав CdSb-Bi вводили донорные примеси Te или In, Ga. Лазерная обработка полученных гомои гетеропереходов проводилась расфокусированным излучением моноимпульсного оптического генератора на рубине (длина волны λ=0,694 мкм, длительность импульсов τ=1,2 мс) с плотностью энергии Е=2-10 Дж/см 2 [6].…”

DETERMINATION OF THE STRUCTURAL STATE AND STABILITY OF THE LASER CRYSTALLIZED Cd1-xМnxTe CRYSTAL SURFACE

“…Development and optimization of non-cooled X-and gammaray detectors based on the wide band gap Cd 1-x Mn x Te crystals is an important problem of micro-and nanoelectronics [1,4,10]. For this purpose, the method of photonic correction of crystallographic and electrophysical characteristics using a laser is used to modify and nanostructure the surface of semiconductors [3,9]. Laser recrystallization of the Cd 1-x Mn x Te crystal surface with the formation of a laser-modified layer can be used to form active structures and contact places.…”